Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - وحدات

APTGLQ200H120G
Microsemi Corporation

APTGLQ200H120G

جزء الأسهم: 505

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 350A, أقصى القوة: 1000W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات
APTGT600DA60G
Microsemi Corporation

APTGT600DA60G

جزء الأسهم: 718

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 700A, أقصى القوة: 2300W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

قائمة الرغبات
APTGT75DA60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA60T1G

جزء الأسهم: 2807

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APTGL475U120D4G
Microsemi Corporation

APTGL475U120D4G

جزء الأسهم: 692

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 610A, أقصى القوة: 2082W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

قائمة الرغبات
APTGLQ75H65T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ75H65T1G

جزء الأسهم: 1579

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APTGT100DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT100DU120TG

جزء الأسهم: 1313

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT50DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU120TG

جزء الأسهم: 1568

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 277W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT300A170D3G
Microsemi Corporation

APTGT300A170D3G

جزء الأسهم: 469

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 530A, أقصى القوة: 1470W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

قائمة الرغبات
APTGT150SK170G
Microsemi Corporation

APTGT150SK170G

جزء الأسهم: 920

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 250A, أقصى القوة: 890W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات
APTGT300SK170G
Microsemi Corporation

APTGT300SK170G

جزء الأسهم: 631

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 400A, أقصى القوة: 1660W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

قائمة الرغبات
APTGT400A120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400A120D3G

جزء الأسهم: 443

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 580A, أقصى القوة: 2100W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

قائمة الرغبات
APTGL60DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DDA120T3G

جزء الأسهم: 1919

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 280W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT100TL170G
Microsemi Corporation

APTGT100TL170G

جزء الأسهم: 530

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 560W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200A65T3G

جزء الأسهم: 255

إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, أقصى القوة: 483W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات
APTGTQ100H65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ100H65T3G

جزء الأسهم: 237

إعدادات: Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT75X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75X60T3G

جزء الأسهم: 1419

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APTGT150A120G
Microsemi Corporation

APTGT150A120G

جزء الأسهم: 851

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 220A, أقصى القوة: 690W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات
APTGT50H60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50H60T1G

جزء الأسهم: 2031

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT225DA170G
Microsemi Corporation

APTGT225DA170G

جزء الأسهم: 770

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 340A, أقصى القوة: 1250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

قائمة الرغبات
APTGT100A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT100A60T1G

جزء الأسهم: 2167

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGT225DU170G
Microsemi Corporation

APTGT225DU170G

جزء الأسهم: 515

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 340A, أقصى القوة: 1250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

قائمة الرغبات
APTGT200SK60T3AG
Microsemi Corporation

APTGT200SK60T3AG

جزء الأسهم: 1579

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 290A, أقصى القوة: 750W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات
APTGT200DH120G
Microsemi Corporation

APTGT200DH120G

جزء الأسهم: 709

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 280A, أقصى القوة: 890W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات
APTGL90DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DDA120T3G

جزء الأسهم: 1593

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 385W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APTGTQ50TA65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ50TA65T3G

جزء الأسهم: 244

إعدادات: Three Phase Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 125W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200SK65T3G

جزء الأسهم: 292

إعدادات: Buck Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, أقصى القوة: 483W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات
APTGT450A60G
Microsemi Corporation

APTGT450A60G

جزء الأسهم: 612

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 550A, أقصى القوة: 1750W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

قائمة الرغبات
APTGT50H170TG
Microsemi Corporation

APTGT50H170TG

جزء الأسهم: 818

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT50H120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50H120T3G

جزء الأسهم: 1389

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 270W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT75DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGT75DH120T3G

جزء الأسهم: 1513

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 357W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APT40GL120JU3
Microsemi Corporation

APT40GL120JU3

جزء الأسهم: 3651

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 65A, أقصى القوة: 220W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

قائمة الرغبات
APTGT200DA120G
Microsemi Corporation

APTGT200DA120G

جزء الأسهم: 955

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 280A, أقصى القوة: 890W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات
APTGLQ30H65T3G
Microsemi Corporation

APTGLQ30H65T3G

جزء الأسهم: 281

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, أقصى القوة: 95W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 30A,

قائمة الرغبات
APTGT75H120TG
Microsemi Corporation

APTGT75H120TG

جزء الأسهم: 963

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 357W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات
APTGLQ25H120T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ25H120T1G

جزء الأسهم: 271

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 165W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.42V @ 15V, 25A,

قائمة الرغبات
APTGT75TA120PG
Microsemi Corporation

APTGT75TA120PG

جزء الأسهم: 672

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 350W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات