الترانزستورات - IGBTs - وحدات | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 16

APTGT150DA120G

جزء الأسهم: 1025

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 220A, أقصى القوة: 690W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGL475A120D3G

جزء الأسهم: 507

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 610A, أقصى القوة: 2080W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT150A60T1G

جزء الأسهم: 1880

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 225A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGTQ150TA65TPG

جزء الأسهم: 285

إعدادات: Three Phase Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 365W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT75TDU120PG

جزء الأسهم: 685

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Triple, Dual - Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 350W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGLQ50H65T3G

جزء الأسهم: 285

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 175W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGLQ40H120T1G

جزء الأسهم: 1701

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT300A60G

جزء الأسهم: 824

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 430A, أقصى القوة: 1150W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT100DA120T1G

جزء الأسهم: 2132

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGLQ40HR120CT3G

جزء الأسهم: 1678

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT75H60T2G

جزء الأسهم: 1713

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT200A170D3G

جزء الأسهم: 586

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 400A, أقصى القوة: 1250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT300DH60G

جزء الأسهم: 698

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 430A, أقصى القوة: 1150W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT20H60T1G

جزء الأسهم: 2483

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 32A, أقصى القوة: 62W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT150H120G

جزء الأسهم: 519

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 220A, أقصى القوة: 690W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT75DA120TG

جزء الأسهم: 1737

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 357W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT50A120T1G

جزء الأسهم: 1412

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 277W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT30A170T1G

جزء الأسهم: 2036

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, أقصى القوة: 210W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGL700U120D4G

جزء الأسهم: 608

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 910A, أقصى القوة: 3000W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT400DA60D3G

جزء الأسهم: 1098

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500A, أقصى القوة: 1250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT50SK170TG

جزء الأسهم: 1637

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT30H170T3G

جزء الأسهم: 1338

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, أقصى القوة: 210W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT30TL601G

جزء الأسهم: 2151

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 90W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT25X120T3G

جزء الأسهم: 1534

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, أقصى القوة: 156W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGLQ150H120G

جزء الأسهم: 301

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 250A, أقصى القوة: 750W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT50SK120TG

جزء الأسهم: 1788

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 277W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGLQ50TL65T3G

جزء الأسهم: 238

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 175W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGL700DA120D3G

جزء الأسهم: 596

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 840A, أقصى القوة: 3000W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT150H60TG

جزء الأسهم: 1078

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 225A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT100DH60TG

جزء الأسهم: 1515

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT50TA60PG

جزء الأسهم: 1144

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGTQ100DDA65T3G

جزء الأسهم: 320

إعدادات: Dual Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT50DH120TG

جزء الأسهم: 1402

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 277W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT300A120G

جزء الأسهم: 588

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 420A, أقصى القوة: 1380W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT150DH60TG

جزء الأسهم: 1369

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Asymmetrical Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 225A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT400DA120G

جزء الأسهم: 762

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 560A, أقصى القوة: 1785W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

قائمة الرغبات