الترانزستورات - IGBTs - وحدات | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 16

APT100GT120JR

جزء الأسهم: 1736

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 123A, أقصى القوة: 570W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT100GT60JRDQ4

جزء الأسهم: 2045

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 148A, أقصى القوة: 500W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGF90H60T3G

جزء الأسهم: 1085

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, أقصى القوة: 416W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT100GN120JDQ4

جزء الأسهم: 1595

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 153A, أقصى القوة: 446W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT50GF120JRDQ3

جزء الأسهم: 1110

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, أقصى القوة: 521W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT100GT120JRDQ4

جزء الأسهم: 1462

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 123A, أقصى القوة: 570W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT60GF120JRDQ3

جزء الأسهم: 910

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 149A, أقصى القوة: 625W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT60GA60JD60

جزء الأسهم: 2217

نوع IGBT: PT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 112A, أقصى القوة: 356W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 62A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT45GP120JDQ2

جزء الأسهم: 1797

نوع IGBT: PT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 329W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 45A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGL700SK120D3G

جزء الأسهم: 657

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 840A, أقصى القوة: 3000W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT300SK60G

جزء الأسهم: 974

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 430A, أقصى القوة: 1150W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT300DU120G

جزء الأسهم: 642

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 420A, أقصى القوة: 1380W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT150DU120TG

جزء الأسهم: 1106

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 220A, أقصى القوة: 690W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT35H120T3G

جزء الأسهم: 1698

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 55A, أقصى القوة: 208W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT100TA120TPG

جزء الأسهم: 574

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGLQ25H120T2G

جزء الأسهم: 324

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 165W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.42V @ 15V, 25A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT200A602G

جزء الأسهم: 1730

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 290A, أقصى القوة: 625W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT300DA60D3G

جزء الأسهم: 1121

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 400A, أقصى القوة: 940W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT100DA60T1G

جزء الأسهم: 2638

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT300DU60G

جزء الأسهم: 576

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 430A, أقصى القوة: 1150W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTCV60HM45BT3G

جزء الأسهم: 1224

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Boost Chopper, Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT750U60D4G

جزء الأسهم: 762

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1000A, أقصى القوة: 2300W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 800A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT100A120TG

جزء الأسهم: 1335

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGTQ100SK65T1G

جزء الأسهم: 313

إعدادات: Buck Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGL240TL120G

جزء الأسهم: 511

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 305A, أقصى القوة: 1000W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGLQ150A120TG

جزء الأسهم: 304

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 250A, أقصى القوة: 750W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT600DU60G

جزء الأسهم: 478

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 700A, أقصى القوة: 2300W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT75SK120TG

جزء الأسهم: 1741

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 357W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT600SK60G

جزء الأسهم: 634

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 700A, أقصى القوة: 2300W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT400U120D4G

جزء الأسهم: 686

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600A, أقصى القوة: 2250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT150DU120G

جزء الأسهم: 806

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 220A, أقصى القوة: 690W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGLQ100A65T1G

جزء الأسهم: 1211

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, أقصى القوة: 350W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT300DA60G

جزء الأسهم: 1016

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 430A, أقصى القوة: 1150W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGLQ200HR120G

جزء الأسهم: 726

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 300A, أقصى القوة: 1000W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 160A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT75H60T1G

جزء الأسهم: 1184

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT300DU170G

جزء الأسهم: 302

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 400A, أقصى القوة: 1660W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

قائمة الرغبات