الترانزستورات - IGBTs - وحدات | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 16

APTGT100A170TG

جزء الأسهم: 1066

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 560W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT300SK120G

جزء الأسهم: 816

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 420A, أقصى القوة: 1380W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGLQ80HR120CT3G

جزء الأسهم: 1034

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 500W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 80A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGL475DA120D3G

جزء الأسهم: 763

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 610A, أقصى القوة: 2080W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT100SK170TG

جزء الأسهم: 1414

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 560W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT100TL60T3G

جزء الأسهم: 1115

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT35GT120JU3

جزء الأسهم: 3761

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 55A, أقصى القوة: 260W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGLQ600A65T6G

جزء الأسهم: 512

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1200A, أقصى القوة: 2000W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 600A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT225SK170G

جزء الأسهم: 816

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 340A, أقصى القوة: 1250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT200A120D3G

جزء الأسهم: 726

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 300A, أقصى القوة: 1040W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT150DA60T1G

جزء الأسهم: 2480

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 225A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGLQ300SK120G

جزء الأسهم: 249

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Buck Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500A, أقصى القوة: 1500W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.42V @ 15V, 300A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT100H120G

جزء الأسهم: 718

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT300DA170D3G

جزء الأسهم: 767

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 530A, أقصى القوة: 1470W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGL90DA120T1G

جزء الأسهم: 2308

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 385W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGLQ400A120T6G

جزء الأسهم: 452

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 700A, أقصى القوة: 1900W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 400A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGLQ50H65T1G

جزء الأسهم: 261

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, أقصى القوة: 175W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT50H60RT3G

جزء الأسهم: 1712

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 176W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGL90H120T3G

جزء الأسهم: 1107

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 385W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT400DU120G

جزء الأسهم: 445

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 560A, أقصى القوة: 1785W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT75DU120TG

جزء الأسهم: 1368

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual, Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 350W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGL120TA120TPG

جزء الأسهم: 398

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, أقصى القوة: 517W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.15V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT200SK120G

جزء الأسهم: 970

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 280A, أقصى القوة: 890W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGL120TDU120TPG

جزء الأسهم: 524

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Triple, Dual - Common Source, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, أقصى القوة: 517W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.15V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT150A60T3AG

جزء الأسهم: 1382

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 225A, أقصى القوة: 600W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGL60TL120T3G

جزء الأسهم: 1437

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Level Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, أقصى القوة: 280W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGLQ100DA120T1G

جزء الأسهم: 324

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 170A, أقصى القوة: 520W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.42V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGLQ200A120T3AG

جزء الأسهم: 317

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: 2 Independent, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 400A, أقصى القوة: 1250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 160A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGL90DSK120T3G

جزء الأسهم: 1591

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Buck Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 385W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGL90A120T1G

جزء الأسهم: 1766

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, أقصى القوة: 385W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGLQ300H65G

جزء الأسهم: 510

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600A, أقصى القوة: 1000W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 300A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGTQ100A65T1G

جزء الأسهم: 268

إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT75A60T1G

جزء الأسهم: 2517

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT30X60T3G

جزء الأسهم: 1938

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Three Phase Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 90W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGTQ200DA65T3G

جزء الأسهم: 297

إعدادات: Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, أقصى القوة: 483W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APTGT100H60TG

جزء الأسهم: 1208

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, أقصى القوة: 340W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات