الترانزستورات - IGBTs - واحد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 5

APT85GR120L

جزء الأسهم: 4352

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 170A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 340A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 85A, أقصى القوة: 962W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT64GA90B2D30

جزء الأسهم: 5459

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 900V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 117A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 193A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.1V @ 15V, 38A, أقصى القوة: 500W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT25GR120S

جزء الأسهم: 8706

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 521W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT35GP120B2DQ2G

جزء الأسهم: 3425

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 96A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 140A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 35A, أقصى القوة: 543W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT30GP60BG

جزء الأسهم: 6877

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 463W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT25GN120BG

جزء الأسهم: 9003

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 67A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 75A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 272W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT50GR120B2

جزء الأسهم: 6076

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 117A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 694W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT50GT120B2RDLG

جزء الأسهم: 3743

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 106A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 694W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT80GA60B

جزء الأسهم: 6029

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 143A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 47A, أقصى القوة: 625W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT36GA60BD15

جزء الأسهم: 8494

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 65A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 109A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 290W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT40GR120B2D30

جزء الأسهم: 5976

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 88A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 500W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT70GR120B2

جزء الأسهم: 5872

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 160A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 280A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 70A, أقصى القوة: 961W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT70GR120L

جزء الأسهم: 5006

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 160A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 280A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 70A, أقصى القوة: 961W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT70GR65B

جزء الأسهم: 9503

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 134A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 260A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 70A, أقصى القوة: 595W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT40GR120S

جزء الأسهم: 6836

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 88A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 500W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT50GN120B2G

جزء الأسهم: 6219

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 134A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 543W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT35GP120BG

جزء الأسهم: 4037

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 96A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 140A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 35A, أقصى القوة: 543W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT50GR120L

جزء الأسهم: 7440

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 117A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 694W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT25GP120BG

جزء الأسهم: 6960

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 69A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 417W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT13GP120BG

جزء الأسهم: 10841

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 41A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 13A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT68GA60B

جزء الأسهم: 7230

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 121A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 202A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 520W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT35GN120L2DQ2G

جزء الأسهم: 5728

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 94A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 105A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 35A, أقصى القوة: 379W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT15GT60BRG

جزء الأسهم: 17440

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 42A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 184W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT50GS60BRDLG

جزء الأسهم: 7256

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 93A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 195A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.15V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 415W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT100GN60B2G

جزء الأسهم: 6392

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 229A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.85V @ 15V, 100A, أقصى القوة: 625W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT30GT60BRG

جزء الأسهم: 10467

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 64A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 110A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT75GN60BG

جزء الأسهم: 8678

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 155A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 225A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.85V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 536W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT150GN60B2G

جزء الأسهم: 3491

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 220A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 450A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.85V @ 15V, 150A, أقصى القوة: 536W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT50GN60BG

جزء الأسهم: 13902

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 107A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.85V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 366W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT50GS60BRG

جزء الأسهم: 9786

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 93A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 195A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.15V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 415W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT30GN60BG

جزء الأسهم: 19623

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 63A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 203W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT50GF120B2RG

جزء الأسهم: 3865

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 135A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 781W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT15GT120BRG

جزء الأسهم: 12117

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 36A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.6V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT30GP60B2DLG

جزء الأسهم: 7454

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 463W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT30GN60BDQ2G

جزء الأسهم: 14922

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 63A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 203W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT20GN60BDQ1G

جزء الأسهم: 20011

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 136W,

قائمة الرغبات