الترانزستورات - IGBTs - واحد

منزل، بيت
الترانزستورات - IGBTs - واحد

Microsemi Corporation

APT85GR120B2

جزء الأسهم: 4316

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 170A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 340A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 85A, أقصى القوة: 962W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT45GR65B

جزء الأسهم: 10884

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 92A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 168A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 45A, أقصى القوة: 357W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT25GR120SD15

جزء الأسهم: 6784

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 521W,

قائمة الرغبات

APT30GS60BRDQ2G

Microsemi Corporation

APT30GS60BRDQ2G

جزء الأسهم: 8545

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 54A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 113A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.15V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT35GA90BD15

جزء الأسهم: 8990

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 900V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 63A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 105A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.1V @ 15V, 18A, أقصى القوة: 290W,

قائمة الرغبات

APT25GP120BDQ1G

Microsemi Corporation

APT25GP120BDQ1G

جزء الأسهم: 5387

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 69A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 417W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT40GR120B

جزء الأسهم: 7864

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 88A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 500W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT50GF120LRG

جزء الأسهم: 3226

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 135A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 781W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT36GA60B

جزء الأسهم: 10848

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 65A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 109A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 290W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT25GN120SG

جزء الأسهم: 7823

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 67A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 75A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 272W,

قائمة الرغبات

APT45GP120B2DQ2G

Microsemi Corporation

APT45GP120B2DQ2G

جزء الأسهم: 3343

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 113A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 170A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 45A, أقصى القوة: 625W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT65GP60B2G

جزء الأسهم: 3477

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 250A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 65A, أقصى القوة: 833W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT33GF120BRG

جزء الأسهم: 6611

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 52A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 104A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 297W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT80GA60LD40

جزء الأسهم: 5111

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 143A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 47A, أقصى القوة: 625W,

قائمة الرغبات

APT50GN120L2DQ2G

Microsemi Corporation

APT50GN120L2DQ2G

جزء الأسهم: 3928

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 134A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 543W,

قائمة الرغبات

APT50GT60BRDQ2G

Microsemi Corporation

APT50GT60BRDQ2G

جزء الأسهم: 8198

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 110A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 446W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT25GR120BD15

جزء الأسهم: 8367

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 521W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT27GA90BD15

جزء الأسهم: 9145

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 900V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 48A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 79A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.1V @ 15V, 14A, أقصى القوة: 223W,

قائمة الرغبات

APT25GT120BRDQ2G

Microsemi Corporation

APT25GT120BRDQ2G

جزء الأسهم: 7393

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 54A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 75A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 347W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT25GT120BRG

جزء الأسهم: 9392

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 54A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 75A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 347W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT50GT120B2RG

جزء الأسهم: 4226

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 94A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 625W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT75GN120LG

جزء الأسهم: 4252

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 225A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 833W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT25GR120B

جزء الأسهم: 10487

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 521W,

قائمة الرغبات

APT30GT60BRDQ2G

Microsemi Corporation

APT30GT60BRDQ2G

جزء الأسهم: 10975

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 64A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 110A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT40GT60BRG

جزء الأسهم: 7056

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 345W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT60GT60BRG

جزء الأسهم: 6334

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 360A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 500W,

قائمة الرغبات

APT65GP60L2DQ2G

Microsemi Corporation

APT65GP60L2DQ2G

جزء الأسهم: 3385

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 198A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 250A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 65A, أقصى القوة: 833W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT75GP120B2G

جزء الأسهم: 2676

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 1042W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT75GN120B2G

جزء الأسهم: 5110

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 225A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 833W,

قائمة الرغبات

APT50GP60B2DQ2G

Microsemi Corporation

APT50GP60B2DQ2G

جزء الأسهم: 4373

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 190A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 625W,

قائمة الرغبات

APT40GP60B2DQ2G

Microsemi Corporation

APT40GP60B2DQ2G

جزء الأسهم: 4770

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 543W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT50GP60BG

جزء الأسهم: 5801

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 190A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 625W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT40GP60SG

جزء الأسهم: 6297

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 543W,

قائمة الرغبات

APT25GR120SSCD10

Microsemi Corporation

APT25GR120SSCD10

جزء الأسهم: 4355

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 521W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT44GA60BD30C

جزء الأسهم: 6845

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 78A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 130A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 15V, 26A, أقصى القوة: 337W,

قائمة الرغبات

APT33GF120LRDQ2G

Microsemi Corporation

APT33GF120LRDQ2G

جزء الأسهم: 6891

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 64A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 75A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 357W,

قائمة الرغبات

145

«
1
2
3
4
5
»