الترانزستورات - IGBTs - واحد

منزل، بيت
الترانزستورات - IGBTs - واحد

Microsemi Corporation

APT40GP60BG

جزء الأسهم: 6764

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 543W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT15GP90KG

جزء الأسهم: 6829

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 900V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 43A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT15GP90BG

جزء الأسهم: 9246

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 900V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 43A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT30GP60LDLG

جزء الأسهم: 7363

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 463W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT25GP90BDQ1G

جزء الأسهم: 7620

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 900V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 72A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 110A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 417W,

قائمة الرغبات

APT50GS60BRDQ2G

Microsemi Corporation

APT50GS60BRDQ2G

جزء الأسهم: 6273

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 93A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 195A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.15V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 415W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT15GP60BDLG

جزء الأسهم: 9155

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 56A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 65A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT95GR65JDU60

جزء الأسهم: 6813

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 135A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 380A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 95A, أقصى القوة: 446W,

قائمة الرغبات

APT70GR65B2SCD30

Microsemi Corporation

APT70GR65B2SCD30

جزء الأسهم: 5004

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 134A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 260A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 70A, أقصى القوة: 595W,

قائمة الرغبات

APT45GR65BSCD10

Microsemi Corporation

APT45GR65BSCD10

جزء الأسهم: 8278

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 118A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 224A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 45A, أقصى القوة: 543W,

قائمة الرغبات

APT45GR65SSCD10

Microsemi Corporation

APT45GR65SSCD10

جزء الأسهم: 7499

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 118A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 224A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 45A, أقصى القوة: 543W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT50GP60LDLG

جزء الأسهم: 6759

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 190A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 625W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT30GS60KRG

جزء الأسهم: 6751

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 54A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 113A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.15V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات

APT40GR120B2SCD10

Microsemi Corporation

APT40GR120B2SCD10

جزء الأسهم: 3452

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 88A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 500W,

قائمة الرغبات

APT25GR120BSCD10

Microsemi Corporation

APT25GR120BSCD10

جزء الأسهم: 4673

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 521W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT44GA60B

جزء الأسهم: 13747

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 78A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 130A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 26A, أقصى القوة: 337W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT102GA60B2

جزء الأسهم: 6806

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 183A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 307A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 62A, أقصى القوة: 780W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT100GT60B2RG

جزء الأسهم: 5319

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 148A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 100A, أقصى القوة: 500W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT30GS60BRDLG

جزء الأسهم: 9592

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 54A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 113A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.15V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات

APT75GN60B2DQ3G

Microsemi Corporation

APT75GN60B2DQ3G

جزء الأسهم: 6653

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 155A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 225A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.85V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 536W,

قائمة الرغبات

APT40GP90B2DQ2G

Microsemi Corporation

APT40GP90B2DQ2G

جزء الأسهم: 4308

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 900V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 101A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 543W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT25GP90BG

جزء الأسهم: 8250

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 900V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 72A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 110A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 417W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT30GT60KRG

جزء الأسهم: 6650

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 64A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 110A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT20GN60BG

جزء الأسهم: 23508

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 136W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT20GT60BRG

جزء الأسهم: 13897

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 43A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 174W,

قائمة الرغبات

APT20GF120BRDQ1G

Microsemi Corporation

APT20GF120BRDQ1G

جزء الأسهم: 6633

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 36A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 64A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 200W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT20GF120BRG

جزء الأسهم: 6692

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 32A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 64A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 200W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT15GT60KRG

جزء الأسهم: 6607

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 42A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 184W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT15GP60KG

جزء الأسهم: 5709

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 56A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 65A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT15GN120KG

جزء الأسهم: 6596

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 195W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT13GP120KG

جزء الأسهم: 6676

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 41A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 13A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT11GP60BDQBG

جزء الأسهم: 6595

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 41A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 11A, أقصى القوة: 187W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT11GF120KRG

جزء الأسهم: 6674

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 44A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3V @ 15V, 8A, أقصى القوة: 156W,

قائمة الرغبات

APT11GF120BRDQ1G

Microsemi Corporation

APT11GF120BRDQ1G

جزء الأسهم: 6645

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 24A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3V @ 15V, 8A, أقصى القوة: 156W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT15GP90BDQ1G

جزء الأسهم: 9002

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 900V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 43A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات

Microsemi Corporation

APT15GP60BDQ1G

جزء الأسهم: 12383

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 56A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 65A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات

145

«
1
2
3
4
5
»