Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - وحدات

APTGT50H120TG
Microsemi Corporation

APTGT50H120TG

جزء الأسهم: 318

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 277W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT50DA170TG
Microsemi Corporation

APTGT50DA170TG

جزء الأسهم: 319

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGT30DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30DSK60T3G

جزء الأسهم: 290

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Buck Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, أقصى القوة: 90W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

قائمة الرغبات
APTGT20DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20DDA60T3G

جزء الأسهم: 311

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Dual Boost Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 32A, أقصى القوة: 62W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

قائمة الرغبات
APTGT150A60TG
Microsemi Corporation

APTGT150A60TG

جزء الأسهم: 326

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 225A, أقصى القوة: 480W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات
APTGT150A170G
Microsemi Corporation

APTGT150A170G

جزء الأسهم: 349

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Half Bridge, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 250A, أقصى القوة: 890W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات
APTGF50H60T1G
Microsemi Corporation

APTGF50H60T1G

جزء الأسهم: 308

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 65A, أقصى القوة: 250W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGF50H120TG
Microsemi Corporation

APTGF50H120TG

جزء الأسهم: 317

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, أقصى القوة: 312W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

قائمة الرغبات
APTGF330DA60D3G
Microsemi Corporation

APTGF330DA60D3G

جزء الأسهم: 3084

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 460A, أقصى القوة: 1400W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 400A,

قائمة الرغبات
APTGF25DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGF25DSK120T3G

جزء الأسهم: 347

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Dual Buck Chopper, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, أقصى القوة: 208W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

قائمة الرغبات
APTGF15X120T3G
Microsemi Corporation

APTGF15X120T3G

جزء الأسهم: 282

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Three Phase Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, أقصى القوة: 140W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

قائمة الرغبات
APTGF100DA120TG
Microsemi Corporation

APTGF100DA120TG

جزء الأسهم: 363

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 135A, أقصى القوة: 568W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APTGF150H120G
Microsemi Corporation

APTGF150H120G

جزء الأسهم: 322

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Full Bridge Inverter, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, أقصى القوة: 961W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

قائمة الرغبات
APT100GF60JU2
Microsemi Corporation

APT100GF60JU2

جزء الأسهم: 3038

نوع IGBT: NPT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, أقصى القوة: 416W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

قائمة الرغبات
APT200GN60JDQ4G
Microsemi Corporation

APT200GN60JDQ4G

جزء الأسهم: 326

نوع IGBT: Trench Field Stop, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 283A, أقصى القوة: 682W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

قائمة الرغبات
APT35GP120JDQ2
Microsemi Corporation

APT35GP120JDQ2

جزء الأسهم: 2090

نوع IGBT: PT, إعدادات: Single, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 64A, أقصى القوة: 284W, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.9V @ 15V, 35A,

قائمة الرغبات