Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثايرستور - SCRs

VS-ST1200C18K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C18K0

جزء الأسهم: 312

الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.73V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3080A,

قائمة الرغبات
VS-ST700C18L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C18L1

جزء الأسهم: 580

الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 910A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1857A,

قائمة الرغبات
VS-ST300C08C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C08C1

جزء الأسهم: 967

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.18V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1290A,

قائمة الرغبات
VS-ST333C04CFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04CFL1

جزء الأسهم: 832

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 720A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1435A,

قائمة الرغبات
VS-ST1280C04K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C04K1

جزء الأسهم: 326

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.44V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 2310A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 4150A,

قائمة الرغبات
VS-ST300S12P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300S12P0

جزء الأسهم: 465

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.66V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 300A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 470A,

قائمة الرغبات
VS-ST1230C14K0LP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K0LP

جزء الأسهم: 394

الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.62V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1745A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3200A,

قائمة الرغبات
VS-2N5206
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N5206

جزء الأسهم: 3882

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 40mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.3V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 22A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 35A,

قائمة الرغبات
VS-ST300C12L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C12L1

جزء الأسهم: 595

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.18V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1290A,

قائمة الرغبات
VS-ST303C12LFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFK1

جزء الأسهم: 359

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 620A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1180A,

قائمة الرغبات
VS-ST1200C12K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C12K0P

جزء الأسهم: 341

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.73V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3080A,

قائمة الرغبات
VS-ST183C08CFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST183C08CFL0

جزء الأسهم: 120

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 370A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 690A,

قائمة الرغبات
VS-ST1230C16K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C16K0L

جزء الأسهم: 326

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.62V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1745A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3200A,

قائمة الرغبات
VS-ST173C12CFP0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C12CFP0

جزء الأسهم: 955

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.07V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 610A,

قائمة الرغبات
VS-ST303C08LFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08LFN1

جزء الأسهم: 496

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 620A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1180A,

قائمة الرغبات
VS-ST1230C16K1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C16K1P

جزء الأسهم: 353

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.62V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1745A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3200A,

قائمة الرغبات
VS-ST780C06L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST780C06L0L

جزء الأسهم: 589

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.31V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1350A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2700A,

قائمة الرغبات
VS-ST110S08P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S08P0VPBF

جزء الأسهم: 1310

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 175A,

قائمة الرغبات
VS-ST333S08MFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S08MFL1

جزء الأسهم: 419

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 518A,

قائمة الرغبات
VS-10TTS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08S-M3

جزء الأسهم: 90239

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 6.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 10A,

قائمة الرغبات
VS-ST330C14L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C14L0

جزء الأسهم: 563

الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.9V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1230A,

قائمة الرغبات
VS-ST330C14C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C14C1

جزء الأسهم: 780

الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 720A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1420A,

قائمة الرغبات
VS-ST333C08LFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08LFL1

جزء الأسهم: 518

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 720A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1435A,

قائمة الرغبات
VS-ST330S14P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S14P0PBF

جزء الأسهم: 466

الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 520A,

قائمة الرغبات
VS-ST300S12P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300S12P0PBF

جزء الأسهم: 672

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.66V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 300A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 470A,

قائمة الرغبات
VS-ST303S04PFN0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S04PFN0P

جزء الأسهم: 533

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 300A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 471A,

قائمة الرغبات
VS-ST733C08LFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST733C08LFL1

جزء الأسهم: 519

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.63V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 940A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1900A,

قائمة الرغبات
VS-ST083S10PFK1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK1P

جزء الأسهم: 1043

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 85A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A,

قائمة الرغبات
VS-50RIA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA60

جزء الأسهم: 4874

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 50A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 80A,

قائمة الرغبات
VS-ST1230C12K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C12K0P

جزء الأسهم: 409

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.62V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1745A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3200A,

قائمة الرغبات
VS-ST230C04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C04C1

جزء الأسهم: 1593

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.69V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 410A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 780A,

قائمة الرغبات
VS-ST1230C14K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K1

جزء الأسهم: 299

الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.62V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1745A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3200A,

قائمة الرغبات
VS-81RIA80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA80PBF

جزء الأسهم: 2280

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 120mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 80A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 125A,

قائمة الرغبات
VS-ST230C12C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C12C1L

جزء الأسهم: 1173

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.69V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 410A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 780A,

قائمة الرغبات
VS-ST300C18C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C18C1

جزء الأسهم: 595

الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.18V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1290A,

قائمة الرغبات
VS-40TTS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TTS12-M3

جزء الأسهم: 27457

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 35mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 25A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 40A,

قائمة الرغبات