Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثايرستور - SCRs

VS-ST223C08CFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C08CFN1

جزء الأسهم: 1056

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.58V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 390A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 745A,

قائمة الرغبات
VS-ST110S04P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S04P0VPBF

جزء الأسهم: 1296

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 175A,

قائمة الرغبات
VS-ST180S04P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S04P0VPBF

جزء الأسهم: 1194

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 200A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 314A,

قائمة الرغبات
VS-10RIA80M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA80M

جزء الأسهم: 4562

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 25A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 10A,

قائمة الرغبات
VS-ST730C20L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C20L1

جزء الأسهم: 601

الجهد - خارج الدولة: 2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.62V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 990A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2000A,

قائمة الرغبات
VS-50RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA40

جزء الأسهم: 5710

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 50A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 80A,

قائمة الرغبات
VS-ST223C04CFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C04CFL1

جزء الأسهم: 1184

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.58V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 390A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 745A,

قائمة الرغبات
VS-ST330S12P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S12P0PBF

جزء الأسهم: 699

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 520A,

قائمة الرغبات
VS-ST650C24L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST650C24L1

جزء الأسهم: 467

الجهد - خارج الدولة: 2.4kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.07V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 790A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1557A,

قائمة الرغبات
VS-ST333C04LFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04LFL1

جزء الأسهم: 489

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 720A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1435A,

قائمة الرغبات
VS-80RIA40MPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA40MPBF

جزء الأسهم: 816

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 120mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 80A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 125A,

قائمة الرغبات
VS-ST173C10CFP1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C10CFP1

جزء الأسهم: 1039

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.07V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 610A,

قائمة الرغبات
VS-ST1000C18K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C18K1

جزء الأسهم: 332

الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1473A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2913A,

قائمة الرغبات
VS-ST180S12M1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S12M1L

جزء الأسهم: 694

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 200A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 314A,

قائمة الرغبات
VS-ST300C08C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C08C0L

جزء الأسهم: 763

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.18V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1290A,

قائمة الرغبات
VS-110RKI40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI40

جزء الأسهم: 1575

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 120mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.57V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 172A,

قائمة الرغبات
VS-50RIA100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA100

جزء الأسهم: 4863

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 50A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 80A,

قائمة الرغبات
VS-ST733C04LFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST733C04LFL1

جزء الأسهم: 607

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.63V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 940A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1900A,

قائمة الرغبات
VS-ST700C16L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C16L0

جزء الأسهم: 619

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 910A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1857A,

قائمة الرغبات
VS-25TTS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12S-M3

جزء الأسهم: 72684

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 45mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.25V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات
VS-110RKI120M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI120M

جزء الأسهم: 764

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 120mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.57V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 172A,

قائمة الرغبات
VS-16RIA120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA120

جزء الأسهم: 3873

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 35A,

قائمة الرغبات
VS-ST380C04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380C04C0

جزء الأسهم: 821

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 960A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1900A,

قائمة الرغبات
VS-80RIA80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA80

جزء الأسهم: 1704

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 120mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 80A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 125A,

قائمة الرغبات
VS-16TTS16STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS16STRL-M3

جزء الأسهم: 52805

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.4V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
VS-ST280C06C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280C06C0

جزء الأسهم: 1292

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.36V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 960A,

قائمة الرغبات
VS-ST733C04LFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST733C04LFM1

جزء الأسهم: 600

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.63V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 940A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1900A,

قائمة الرغبات
VS-ST303S12PFK0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S12PFK0P

جزء الأسهم: 456

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 300A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 471A,

قائمة الرغبات
VS-16TTS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08STRR-M3

جزء الأسهم: 59477

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.4V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
VS-ST1200C20K1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C20K1P

جزء الأسهم: 222

الجهد - خارج الدولة: 2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.73V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3080A,

قائمة الرغبات
VS-ST333S08MFL1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S08MFL1P

جزء الأسهم: 405

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 518A,

قائمة الرغبات
VS-ST330S04P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S04P0

جزء الأسهم: 537

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 520A,

قائمة الرغبات
VS-ST730C20L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C20L0

جزء الأسهم: 642

الجهد - خارج الدولة: 2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.62V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 990A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2000A,

قائمة الرغبات
VS-16TTS16STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS16STRR-M3

جزء الأسهم: 52780

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.4V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
VS-ST330S04P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S04P0PBF

جزء الأسهم: 459

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 520A,

قائمة الرغبات
VS-50RIA120S90
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA120S90

جزء الأسهم: 2606

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 50A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 80A,

قائمة الرغبات