Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثايرستور - SCRs

12TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08STRR

جزء الأسهم: 4797

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.2V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12.5A,

قائمة الرغبات
10TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08STRL

جزء الأسهم: 7584

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 6.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 10A,

قائمة الرغبات
10TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08STRR

جزء الأسهم: 7614

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 6.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 10A,

قائمة الرغبات
12TTS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08

جزء الأسهم: 7644

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.2V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12.5A,

قائمة الرغبات
12TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08S

جزء الأسهم: 4813

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.2V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12.5A,

قائمة الرغبات
10TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08S

جزء الأسهم: 7583

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 6.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 10A,

قائمة الرغبات
10TTS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08

جزء الأسهم: 7620

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 6.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 10A,

قائمة الرغبات
16TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12STRR

جزء الأسهم: 7665

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.4V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
16TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12STRL

جزء الأسهم: 7597

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.4V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
16TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08STRR

جزء الأسهم: 7581

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.4V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
112RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division

112RKI80

جزء الأسهم: 7616

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 120mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.57V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 172A,

قائمة الرغبات
16TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08STRL

جزء الأسهم: 7605

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.4V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
112RKI40
Vishay Semiconductor Diodes Division

112RKI40

جزء الأسهم: 7639

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 120mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.57V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 172A,

قائمة الرغبات
16TTS12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12FP

جزء الأسهم: 7603

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.4V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
16TTS08FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08FP

جزء الأسهم: 7640

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.4V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
16TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12S

جزء الأسهم: 7612

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.4V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
16TTS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12

جزء الأسهم: 7561

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.4V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
16TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08S

جزء الأسهم: 7567

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.4V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
16TTS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08

جزء الأسهم: 7649

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.4V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
12TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08STRL

جزء الأسهم: 7552

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.2V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12.5A,

قائمة الرغبات
2N5204
Vishay Semiconductor Diodes Division

2N5204

جزء الأسهم: 6353

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 40mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.3V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 22A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 35A,

قائمة الرغبات
25TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12STRR

جزء الأسهم: 7636

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 45mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.25V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12STRL

جزء الأسهم: 7571

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 45mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.25V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات
25TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08STRR

جزء الأسهم: 7576

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 45mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.25V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات
25TTS12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12FP

جزء الأسهم: 7581

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 45mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.25V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12S

جزء الأسهم: 7613

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 45mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.25V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات
25TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08STRL

جزء الأسهم: 7660

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 45mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.25V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات
25TTS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12

جزء الأسهم: 7607

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 45mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.25V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات
25TTS08FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08FP

جزء الأسهم: 7638

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 45mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.25V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات
25TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08S

جزء الأسهم: 7653

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 45mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.25V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات
25TTS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08

جزء الأسهم: 7614

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 45mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.25V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات
30TPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

30TPS12

جزء الأسهم: 7665

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 45mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.3V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 20A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 30A,

قائمة الرغبات
30TPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

30TPS08

جزء الأسهم: 4828

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 45mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.3V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 20A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 30A,

قائمة الرغبات
40TPS08A
Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS08A

جزء الأسهم: 4854

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.85V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 35A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 55A,

قائمة الرغبات
40TPS12A
Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS12A

جزء الأسهم: 4839

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.85V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 35A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 55A,

قائمة الرغبات
40TPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS08

جزء الأسهم: 7657

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.85V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 35A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 55A,

قائمة الرغبات