Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثايرستور - SCRs

VS-ST733C08LFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST733C08LFM1

جزء الأسهم: 594

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.63V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 940A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1900A,

قائمة الرغبات
VS-81RIA120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA120

جزء الأسهم: 1619

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 120mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 80A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 125A,

قائمة الرغبات
VS-ST1280C06K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C06K0

جزء الأسهم: 362

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.44V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 2310A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 4150A,

قائمة الرغبات
VS-ST110S12P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P0VPBF

جزء الأسهم: 1177

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 175A,

قائمة الرغبات
VS-ST083S12PFK0LP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S12PFK0LP

جزء الأسهم: 975

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 85A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A,

قائمة الرغبات
VS-81RIA80M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA80M

جزء الأسهم: 857

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 120mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 80A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 125A,

قائمة الرغبات
VS-180RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI40PBF

جزء الأسهم: 1501

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.35V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 180A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 285A,

قائمة الرغبات
VS-ST330S12Q0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S12Q0

جزء الأسهم: 463

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 520A,

قائمة الرغبات
VS-ST300C16C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C16C0

جزء الأسهم: 740

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.18V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1290A,

قائمة الرغبات
VS-ST230S16M1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S16M1

جزء الأسهم: 729

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.55V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 230A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 360A,

قائمة الرغبات
VS-ST303C10LFJ0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C10LFJ0

جزء الأسهم: 415

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 515A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 995A,

قائمة الرغبات
VS-ST330C12L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12L0L

جزء الأسهم: 656

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 720A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1420A,

قائمة الرغبات
VS-ST700C16L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C16L0L

جزء الأسهم: 635

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 910A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1857A,

قائمة الرغبات
VS-ST730C12L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C12L0

جزء الأسهم: 641

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.62V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 990A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2000A,

قائمة الرغبات
VS-ST333C08CFM0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08CFM0

جزء الأسهم: 765

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 720A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1435A,

قائمة الرغبات
VS-ST230C16C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C16C1L

جزء الأسهم: 1023

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.69V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 410A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 780A,

قائمة الرغبات
VS-111RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI80

جزء الأسهم: 1567

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 120mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.57V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 172A,

قائمة الرغبات
VS-110RKI80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI80PBF

جزء الأسهم: 1871

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 120mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.57V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 172A,

قائمة الرغبات
VS-ST1000C24K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C24K0L

جزء الأسهم: 271

الجهد - خارج الدولة: 2.4kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1473A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2913A,

قائمة الرغبات
VS-ST083S08MFM1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08MFM1P

جزء الأسهم: 757

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 85A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A,

قائمة الرغبات
VS-ST110S04P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S04P1V

جزء الأسهم: 1072

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 175A,

قائمة الرغبات
VS-ST1230C16K0LP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C16K0LP

جزء الأسهم: 312

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.62V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1745A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3200A,

قائمة الرغبات
VS-ST1000C12K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C12K1

جزء الأسهم: 359

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1473A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2913A,

قائمة الرغبات
VS-ST333C08CFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08CFM1

جزء الأسهم: 748

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 720A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1435A,

قائمة الرغبات
VS-ST173C10CFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C10CFK1

جزء الأسهم: 1036

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.07V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 610A,

قائمة الرغبات
VS-ST300C08C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C08C0

جزء الأسهم: 973

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.18V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1290A,

قائمة الرغبات
VS-ST183C08CFN0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST183C08CFN0

جزء الأسهم: 1163

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 370A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 690A,

قائمة الرغبات
VS-ST300C20C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C20C0L

جزء الأسهم: 526

الجهد - خارج الدولة: 2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.18V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1290A,

قائمة الرغبات
VS-ST330C04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C04C0

جزء الأسهم: 998

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 720A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1420A,

قائمة الرغبات
VS-40TPS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS08-M3

جزء الأسهم: 13176

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.85V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 35A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 55A,

قائمة الرغبات
VS-ST303C12LFK0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFK0L

جزء الأسهم: 399

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 620A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1180A,

قائمة الرغبات
VS-ST083S12MFK2LP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S12MFK2LP

جزء الأسهم: 713

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 85A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A,

قائمة الرغبات
VS-25RIA120S90
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA120S90

جزء الأسهم: 3283

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 25A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 40A,

قائمة الرغبات
VS-ST333S08PFL0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S08PFL0P

جزء الأسهم: 657

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 518A,

قائمة الرغبات
VS-181RKI80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-181RKI80PBF

جزء الأسهم: 1382

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.35V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 180A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 285A,

قائمة الرغبات
VS-50RIA20M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA20M

جزء الأسهم: 2641

الجهد - خارج الدولة: 200V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 50A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 80A,

قائمة الرغبات