Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثايرستور - SCRs

VS-ST1200C16K3P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C16K3P

جزء الأسهم: 239

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.73V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3080A,

قائمة الرغبات
VS-ST110S14P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S14P0PBF

جزء الأسهم: 1122

الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 175A,

قائمة الرغبات
VS-111RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI40PBF

جزء الأسهم: 2105

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 120mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.57V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 172A,

قائمة الرغبات
VS-ST1000C20K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C20K1

جزء الأسهم: 301

الجهد - خارج الدولة: 2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1473A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2913A,

قائمة الرغبات
VS-ST230S04P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04P1VPBF

جزء الأسهم: 1121

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.55V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 230A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 360A,

قائمة الرغبات
VS-ST223C04CFN0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C04CFN0

جزء الأسهم: 1134

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.58V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 390A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 745A,

قائمة الرغبات
VS-81RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA40

جزء الأسهم: 2128

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 120mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 80A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 125A,

قائمة الرغبات
VS-ST300C08L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C08L0

جزء الأسهم: 671

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.18V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 560A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1115A,

قائمة الرغبات
VS-50RIA100M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA100M

جزء الأسهم: 2663

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 50A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 80A,

قائمة الرغبات
VS-ST083S10PFK2P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK2P

جزء الأسهم: 1018

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 85A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A,

قائمة الرغبات
VS-ST780C06L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST780C06L1

جزء الأسهم: 556

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.31V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1350A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2700A,

قائمة الرغبات
VS-110RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI80

جزء الأسهم: 1589

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 120mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.57V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 172A,

قائمة الرغبات
VS-ST280CH04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280CH04C0

جزء الأسهم: 1110

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.35V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1130A,

قائمة الرغبات
VS-ST333C04LFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04LFM1

جزء الأسهم: 504

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 720A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1435A,

قائمة الرغبات
VS-ST303C12LFH0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFH0

جزء الأسهم: 421

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 620A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1180A,

قائمة الرغبات
VS-ST1000C22K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C22K0

جزء الأسهم: 391

الجهد - خارج الدولة: 2.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1473A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2913A,

قائمة الرغبات
VS-ST733C08LFM0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST733C08LFM0L

جزء الأسهم: 517

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.63V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 940A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1900A,

قائمة الرغبات
VS-ST230S04P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04P0V

جزء الأسهم: 828

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.55V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 230A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 360A,

قائمة الرغبات
VS-110RKI120MPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI120MPBF

جزء الأسهم: 809

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 120mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.57V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 172A,

قائمة الرغبات
VS-ST230C20C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C20C1

جزء الأسهم: 981

الجهد - خارج الدولة: 2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.69V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 410A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 780A,

قائمة الرغبات
VS-ST730C18L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C18L1L

جزء الأسهم: 547

الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.62V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 990A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2000A,

قائمة الرغبات
VS-ST380C04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380C04C1

جزء الأسهم: 849

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 960A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1900A,

قائمة الرغبات
VS-25RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA40

جزء الأسهم: 7234

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 25A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 40A,

قائمة الرغبات
VS-ST1000C22K1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C22K1L

جزء الأسهم: 311

الجهد - خارج الدولة: 2.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1473A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2913A,

قائمة الرغبات
VS-ST700C12L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C12L0L

جزء الأسهم: 635

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 910A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1857A,

قائمة الرغبات
VS-ST303C08LFN0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08LFN0

جزء الأسهم: 433

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 515A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 995A,

قائمة الرغبات
VS-16RIA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA60

جزء الأسهم: 5758

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 35A,

قائمة الرغبات
VS-ST083S04PFN1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S04PFN1P

جزء الأسهم: 1092

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 85A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A,

قائمة الرغبات
VS-ST380CH04C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380CH04C0L

جزء الأسهم: 755

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.58V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 960A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2220A,

قائمة الرغبات
VS-ST083S08PFN1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFN1P

جزء الأسهم: 935

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 85A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A,

قائمة الرغبات
VS-ST230C04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C04C0

جزء الأسهم: 1564

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.69V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 410A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 780A,

قائمة الرغبات
VS-ST223C04CFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C04CFN1

جزء الأسهم: 1059

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.58V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 390A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 745A,

قائمة الرغبات
VS-ST300C04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C04C0

جزء الأسهم: 1061

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.18V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1290A,

قائمة الرغبات
VS-ST333S04PFM0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S04PFM0

جزء الأسهم: 402

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 518A,

قائمة الرغبات
VS-ST083S10PFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK0

جزء الأسهم: 749

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 85A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A,

قائمة الرغبات
VS-ST700C08L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C08L0

جزء الأسهم: 460

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 910A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1857A,

قائمة الرغبات