الثايرستور - SCR - وحدات | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 21

113MT80KB

جزء الأسهم: 9773

بنية: Bridge, 3-Phase - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 6 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 800V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT500-16PBF

جزء الأسهم: 158

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 785A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT41/16

جزء الأسهم: 1864

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 45A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 100A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN105/06

جزء الأسهم: 1902

بنية: Common Anode - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 600V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 105A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 235A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT105/08

جزء الأسهم: 1738

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 800V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 105A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 235A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU41/10

جزء الأسهم: 1932

بنية: Common Cathode - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 45A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 70A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL136/08PBF

جزء الأسهم: 1166

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 800V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 135A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 300A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P124

جزء الأسهم: 2146

بنية: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3), عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, 2 Diodes, الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T70RIA120S90

جزء الأسهم: 2189

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 70A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 110A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH230-12PBF

جزء الأسهم: 527

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 230A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 510A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT320-12PBF

جزء الأسهم: 446

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 320A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 710A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT26/08

جزء الأسهم: 2068

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 800V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 27A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 60A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P105

جزء الأسهم: 2114

بنية: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, 2 Diodes, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380C06C0L

جزء الأسهم: 876

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 600V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 960A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1900A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL230-16PBF

جزء الأسهم: 443

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 230A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 510A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T50RIA120

جزء الأسهم: 2414

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 50A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 80A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH170-12PBF

جزء الأسهم: 524

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 400V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 170A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 377A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV71/04

جزء الأسهم: 1806

بنية: Common Anode - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 400V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 75A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 115A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT170-14PBF

جزء الأسهم: 543

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 170A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 377A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT56/04

جزء الأسهم: 2024

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 400V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 60A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT91/14

جزء الأسهم: 1655

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 95A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 210A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P435

جزء الأسهم: 1790

بنية: Bridge, Single Phase - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 4 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 40A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN56/08

جزء الأسهم: 2027

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 800V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 60A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT170-04PBF

جزء الأسهم: 406

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 400V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 170A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 377A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH71/10

جزء الأسهم: 1880

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 75A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 165A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU56/16

جزء الأسهم: 1970

بنية: Common Cathode - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 60A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 95A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH500-14PBF

جزء الأسهم: 250

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 785A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH162/14PBF

جزء الأسهم: 1076

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 160A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 355A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T90RIA120S90

جزء الأسهم: 1787

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 90A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 141A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH250-04PBF

جزء الأسهم: 477

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 400V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 250A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 555A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P405W

جزء الأسهم: 1786

بنية: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, 2 Diodes, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH136/16PBF

جزء الأسهم: 1175

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 135A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 300A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH91/12

جزء الأسهم: 1713

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 95A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 210A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN56/06

جزء الأسهم: 2036

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 600V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 60A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT26/12

جزء الأسهم: 2066

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 27A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 60A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T70RIA120

جزء الأسهم: 2345

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 70A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 110A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات