الثايرستور - SCR - وحدات | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 21

VS-VSKT250-18PBF

جزء الأسهم: 264

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 250A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 555A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT500-12PBF

جزء الأسهم: 202

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 785A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL91/04

جزء الأسهم: 1875

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 400V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 95A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 210A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT170-12PBF

جزء الأسهم: 578

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 170A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 377A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T50RIA80

جزء الأسهم: 2527

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 800V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 50A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 80A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN105/04

جزء الأسهم: 1845

بنية: Common Anode - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 400V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 105A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 235A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV41/14

جزء الأسهم: 1955

بنية: Common Cathode - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 45A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 70A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKK230-20PBF

جزء الأسهم: 396

بنية: Common Cathode - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 230A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 510A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL56/16

جزء الأسهم: 1936

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 60A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN56/14

جزء الأسهم: 1986

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 60A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P123

جزء الأسهم: 2177

بنية: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3), عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, 2 Diodes, الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU56/14

جزء الأسهم: 1959

بنية: Common Cathode - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 60A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 95A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT250-14PBF

جزء الأسهم: 408

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 250A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 555A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT91/12

جزء الأسهم: 1584

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 95A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 210A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT250-04PBF

جزء الأسهم: 457

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 400V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 250A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 555A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT56/08

جزء الأسهم: 1991

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 800V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 60A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT230-12PBF

جزء الأسهم: 159

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 230A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 510A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T90RIA80

جزء الأسهم: 2059

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 800V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 90A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 141A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL300-08PBF

جزء الأسهم: 555

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 800V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 300A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 116A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH142/08PBF

جزء الأسهم: 1116

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 800V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 140A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 310A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P403KW

جزء الأسهم: 1698

بنية: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, 2 Diodes, الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH26/14

جزء الأسهم: 2115

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 27A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 60A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV91/04

جزء الأسهم: 1866

بنية: Common Anode - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 400V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 95A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 150A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN56/12

جزء الأسهم: 2025

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 60A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT56/16

جزء الأسهم: 1908

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 60A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P405KW

جزء الأسهم: 1611

بنية: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, 2 Diodes, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T70RIA20

جزء الأسهم: 2484

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 200V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 70A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 110A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT230-16PBF

جزء الأسهم: 435

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 230A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 510A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT230-14PBF

جزء الأسهم: 477

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 230A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 510A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P404W

جزء الأسهم: 1859

بنية: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, 2 Diodes, الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P423

جزء الأسهم: 2011

بنية: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3), عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, 2 Diodes, الجهد - خارج الدولة: 800V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 40A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT430-20PBF

جزء الأسهم: 208

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 430A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 675A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T90RIA60

جزء الأسهم: 2199

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 600V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 90A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 141A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH500-12PBF

جزء الأسهم: 229

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 785A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL26/12

جزء الأسهم: 2169

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 27A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 60A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH26/06

جزء الأسهم: 2248

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 600V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 27A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 60A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات