الثايرستور - SCR - وحدات | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 21

VS-VSKT91/10

جزء الأسهم: 1785

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 95A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 210A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT500-14PBF

جزء الأسهم: 220

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 785A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL105/10

جزء الأسهم: 1868

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 105A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 235A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH41/10

جزء الأسهم: 2001

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 45A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 100A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN105/10

جزء الأسهم: 1891

بنية: Common Anode - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 105A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 235A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P401W

جزء الأسهم: 1982

بنية: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, 2 Diodes, الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH250-08PBF

جزء الأسهم: 463

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 400V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 250A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 555A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN91/04

جزء الأسهم: 1902

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 400V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 95A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 210A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT250-20PBF

جزء الأسهم: 220

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 250A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 555A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV250-08PBF

جزء الأسهم: 550

بنية: Common Anode - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 800V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 250A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 555A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL250-08PBF

جزء الأسهم: 403

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 400V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 250A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 555A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT500-08PBF

جزء الأسهم: 216

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 800V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 785A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU26/10

جزء الأسهم: 2076

بنية: Common Cathode - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 27A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 60A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P104

جزء الأسهم: 2145

بنية: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, 2 Diodes, الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH230-14PBF

جزء الأسهم: 406

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 230A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 510A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT91/08

جزء الأسهم: 1825

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 800V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 95A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 210A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH250-12PBF

جزء الأسهم: 485

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 400V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 250A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 555A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT56/12

جزء الأسهم: 1864

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 60A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P104W

جزء الأسهم: 2109

بنية: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, 2 Diodes, الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH105/06

جزء الأسهم: 1917

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 600V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 105A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 235A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL71/10

جزء الأسهم: 1875

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 75A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 165A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN41/12

جزء الأسهم: 2056

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 45A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 100A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKS500/08PBF

جزء الأسهم: 260

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 800V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 785A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T90RIA100

جزء الأسهم: 2031

بنية: Single, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, الجهد - خارج الدولة: 1kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 90A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 141A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL250-14PBF

جزء الأسهم: 495

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 400V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 250A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 555A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P402W

جزء الأسهم: 1813

بنية: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, 2 Diodes, الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV41/10

جزء الأسهم: 1949

بنية: Common Cathode - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 45A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 70A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL230-12PBF

جزء الأسهم: 455

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 230A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 510A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL71/16

جزء الأسهم: 1772

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 75A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 165A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P403

جزء الأسهم: 2002

بنية: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, 2 Diodes, الجهد - خارج الدولة: 800V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 40A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT91/16

جزء الأسهم: 1593

بنية: Series Connection - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 95A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 210A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P131

جزء الأسهم: 2505

بنية: Bridge, Single Phase - All SCRs, عدد SCRs ، الثنائيات: 4 SCRs, الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH250-20PBF

جزء الأسهم: 265

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 400V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 250A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 555A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P401

جزء الأسهم: 2015

بنية: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), عدد SCRs ، الثنائيات: 2 SCRs, 2 Diodes, الجهد - خارج الدولة: 400V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 40A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH230-20PBF

جزء الأسهم: 423

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 2kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 230A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 510A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL26/10

جزء الأسهم: 2133

بنية: Series Connection - SCR/Diode, عدد SCRs ، الثنائيات: 1 SCR, 1 Diode, الجهد - خارج الدولة: 1kV, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 27A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 60A, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V,

قائمة الرغبات