Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثايرستور - SCRs

VS-ST103S08PFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S08PFL1

جزء الأسهم: 876

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.73V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 105A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 165A,

قائمة الرغبات
VS-ST330S12P1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S12P1PBF

جزء الأسهم: 495

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 520A,

قائمة الرغبات
VS-16TTS12FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS12FP-M3

جزء الأسهم: 27291

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.4V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
VS-ST083S12PFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S12PFK0

جزء الأسهم: 866

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 85A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A,

قائمة الرغبات
VS-ST1230C12K1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C12K1P

جزء الأسهم: 306

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.62V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1745A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3200A,

قائمة الرغبات
VS-ST280CH04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280CH04C1

جزء الأسهم: 1104

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.35V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 960A,

قائمة الرغبات
VS-ST110S16P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S16P0PBF

جزء الأسهم: 1089

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 175A,

قائمة الرغبات
VS-ST280C04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280C04C1

جزء الأسهم: 1294

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.36V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 960A,

قائمة الرغبات
VS-ST303C10CFJ0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C10CFJ0

جزء الأسهم: 704

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 620A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1180A,

قائمة الرغبات
VS-ST1000C20K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C20K0

جزء الأسهم: 370

الجهد - خارج الدولة: 2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1473A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2913A,

قائمة الرغبات
VS-16TTS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08-M3

جزء الأسهم: 30099

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.4V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
VS-ST1000C18K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C18K0

جزء الأسهم: 335

الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1473A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2913A,

قائمة الرغبات
VS-ST230C12C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C12C0L

جزء الأسهم: 1238

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.69V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 410A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 780A,

قائمة الرغبات
VS-ST1000C24K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C24K0

جزء الأسهم: 296

الجهد - خارج الدولة: 2.4kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1473A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2913A,

قائمة الرغبات
VS-ST330C08C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C08C1

جزء الأسهم: 931

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 720A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1420A,

قائمة الرغبات
VS-ST083S08PFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFN1

جزء الأسهم: 797

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 85A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A,

قائمة الرغبات
VS-ST780C04L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST780C04L0L

جزء الأسهم: 599

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.31V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1350A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2700A,

قائمة الرغبات
VS-81RIA40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA40PBF

جزء الأسهم: 2444

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 120mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 80A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 125A,

قائمة الرغبات
VS-ST1200C20K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C20K0

جزء الأسهم: 250

الجهد - خارج الدولة: 2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.73V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3080A,

قائمة الرغبات
VS-ST180S12P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S12P1V

جزء الأسهم: 711

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 200A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 314A,

قائمة الرغبات
VS-2N692
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N692

جزء الأسهم: 4718

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 40mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات
VS-ST083S08PFN0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFN0

جزء الأسهم: 758

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 85A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A,

قائمة الرغبات
VS-2N684
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N684

جزء الأسهم: 10050

الجهد - خارج الدولة: 150V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 40mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات
VS-ST280S06P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280S06P0V

جزء الأسهم: 1202

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.28V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 280A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 440A,

قائمة الرغبات
VS-12TTS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TTS08STRL-M3

جزء الأسهم: 73596

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.2V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12.5A,

قائمة الرغبات
VS-ST110S08P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S08P1V

جزء الأسهم: 967

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 175A,

قائمة الرغبات
VS-81RIA120PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA120PBF

جزء الأسهم: 1984

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 120mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 80A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 125A,

قائمة الرغبات
VS-ST300C20L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C20L1

جزء الأسهم: 571

الجهد - خارج الدولة: 2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.18V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1290A,

قائمة الرغبات
VS-ST1200C16K1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C16K1L

جزء الأسهم: 236

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.73V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3080A,

قائمة الرغبات
VS-50RIA80M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA80M

جزء الأسهم: 2600

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 50A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 80A,

قائمة الرغبات
VS-ST110S08P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S08P1VPBF

جزء الأسهم: 1239

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 175A,

قائمة الرغبات
VS-ST300S18M0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300S18M0

جزء الأسهم: 355

الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.66V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 300A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 470A,

قائمة الرغبات
VS-ST180S20P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S20P0

جزء الأسهم: 546

الجهد - خارج الدولة: 2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 200A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 314A,

قائمة الرغبات
VS-25RIA120M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA120M

جزء الأسهم: 3528

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 25A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 40A,

قائمة الرغبات
VS-ST300C04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C04C1

جزء الأسهم: 1082

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.18V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1290A,

قائمة الرغبات
VS-ST180S08P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S08P0VPBF

جزء الأسهم: 965

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 200A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 314A,

قائمة الرغبات