Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثايرستور - SCRs

VS-2N682
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N682

جزء الأسهم: 9141

الجهد - خارج الدولة: 50V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 40mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات
VS-22RIA80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA80

جزء الأسهم: 5485

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 22A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 35A,

قائمة الرغبات
VS-16RIA100M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA100M

جزء الأسهم: 4523

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 35A,

قائمة الرغبات
VS-10RIA120M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA120M

جزء الأسهم: 4596

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 25A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 10A,

قائمة الرغبات
VS-10RIA100M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA100M

جزء الأسهم: 4578

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 25A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 10A,

قائمة الرغبات
VS-16RIA40M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA40M

جزء الأسهم: 4567

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 35A,

قائمة الرغبات
VS-25RIA40M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA40M

جزء الأسهم: 4612

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 25A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 40A,

قائمة الرغبات
VS-ST330C16L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16L0

جزء الأسهم: 581

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.9V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1230A,

قائمة الرغبات
VS-2N5205
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N5205

جزء الأسهم: 5742

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 40mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.3V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 22A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 35A,

قائمة الرغبات
VS-10RIA100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA100

جزء الأسهم: 5671

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات
VS-ST173S10PFP1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173S10PFP1

جزء الأسهم: 691

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.07V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 175A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 275A,

قائمة الرغبات
VS-ST230S14P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S14P0

جزء الأسهم: 643

الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.55V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 230A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 360A,

قائمة الرغبات
VS-ST330S12P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S12P0

جزء الأسهم: 433

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 520A,

قائمة الرغبات
VS-ST180S12P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S12P0V

جزء الأسهم: 768

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 200A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 314A,

قائمة الرغبات
VS-25RIA10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA10

جزء الأسهم: 7994

الجهد - خارج الدولة: 100V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 25A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 40A,

قائمة الرغبات
VS-ST730C16L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C16L0L

جزء الأسهم: 612

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.62V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 990A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2000A,

قائمة الرغبات
VS-2N681
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N681

جزء الأسهم: 9171

الجهد - خارج الدولة: 25V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 40mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات
VS-ST180S12P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S12P0VPBF

جزء الأسهم: 999

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 200A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 314A,

قائمة الرغبات
VS-22RIA120S90
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA120S90

جزء الأسهم: 3993

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 22A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 35A,

قائمة الرغبات
VS-16RIA20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA20

جزء الأسهم: 8847

الجهد - خارج الدولة: 200V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 35A,

قائمة الرغبات
VS-16RIA80M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA80M

جزء الأسهم: 4617

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 35A,

قائمة الرغبات
VS-10RIA40M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA40M

جزء الأسهم: 4605

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 25A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 10A,

قائمة الرغبات
VS-25RIA20M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA20M

جزء الأسهم: 4523

الجهد - خارج الدولة: 200V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 25A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 40A,

قائمة الرغبات
VS-ST330C12C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12C0

جزء الأسهم: 800

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 720A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1420A,

قائمة الرغبات
VS-2N691
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N691

جزء الأسهم: 6111

الجهد - خارج الدولة: 700V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 40mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات
VS-16RIA10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA10

جزء الأسهم: 8911

الجهد - خارج الدولة: 100V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 35A,

قائمة الرغبات
VS-ST303C12CFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CFK0

جزء الأسهم: 754

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 620A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1180A,

قائمة الرغبات
VS-22RIA80M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA80M

جزء الأسهم: 4527

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 22A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 35A,

قائمة الرغبات
VS-16RIA120M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA120M

جزء الأسهم: 4556

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 35A,

قائمة الرغبات
VS-ST110S16P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S16P0

جزء الأسهم: 685

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 175A,

قائمة الرغبات
VS-25RIA20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA20

جزء الأسهم: 7289

الجهد - خارج الدولة: 200V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 25A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 40A,

قائمة الرغبات
VS-ST230C12C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C12C0

جزء الأسهم: 1106

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.69V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 410A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 780A,

قائمة الرغبات
VS-22RIA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA60

جزء الأسهم: 6023

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 22A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 35A,

قائمة الرغبات
VS-ST110S04P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S04P0V

جزء الأسهم: 1050

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 175A,

قائمة الرغبات
VS-40TPS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS12-M3

جزء الأسهم: 13041

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.85V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 35A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 55A,

قائمة الرغبات
VS-ST110S12P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P1V

جزء الأسهم: 914

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 110A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 175A,

قائمة الرغبات