Menu
العربيةالعربية
0rfqs / order.
0rfqs / order.

الثايرستور - SCRs

VS-ST180C18C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C18C0

جزء الأسهم: 711

الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 350A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 660A,

قائمة الرغبات
VS-ST333C04CFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04CFL0

جزء الأسهم: 847

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 720A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1435A,

قائمة الرغبات
VS-25RIA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA60

جزء الأسهم: 5109

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 25A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 40A,

قائمة الرغبات
VS-50RIA120M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA120M

جزء الأسهم: 2667

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 50A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 80A,

قائمة الرغبات
VS-ST330C12C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12C0L

جزء الأسهم: 804

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 720A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1420A,

قائمة الرغبات
VS-12TTS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TTS08-M3

جزء الأسهم: 42474

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.2V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12.5A,

قائمة الرغبات
VS-ST083S08PFM0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFM0P

جزء الأسهم: 929

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 85A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A,

قائمة الرغبات
VS-ST330S16M1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16M1L

جزء الأسهم: 432

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 520A,

قائمة الرغبات
VS-16TTS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08STRL-M3

جزء الأسهم: 58873

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.4V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

قائمة الرغبات
VS-ST1280C04K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C04K0

جزء الأسهم: 407

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.44V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 2310A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 4150A,

قائمة الرغبات
VS-ST230C08C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C08C0L

جزء الأسهم: 1219

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.69V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 410A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 780A,

قائمة الرغبات
VS-ST303S12PFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S12PFK0

جزء الأسهم: 336

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 300A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 471A,

قائمة الرغبات
VS-ST300C12L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C12L0

جزء الأسهم: 642

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.18V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 560A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1115A,

قائمة الرغبات
VS-ST083S04PFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S04PFN1

جزء الأسهم: 926

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 85A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A,

قائمة الرغبات
VS-ST180S04P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S04P1V

جزء الأسهم: 829

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 200A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 314A,

قائمة الرغبات
VS-ST303S12PFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S12PFK1

جزء الأسهم: 329

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 300A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 471A,

قائمة الرغبات
VS-ST1200C14K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C14K0

جزء الأسهم: 318

الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.73V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3080A,

قائمة الرغبات
VS-ST1230C12K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C12K0L

جزء الأسهم: 233

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.62V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1745A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3200A,

قائمة الرغبات
VS-80RIA80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA80PBF

جزء الأسهم: 2343

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 120mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 80A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 125A,

قائمة الرغبات
VS-ST230C08C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C08C1

جزء الأسهم: 1403

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.69V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 410A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 780A,

قائمة الرغبات
VS-22RIA120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA120

جزء الأسهم: 3619

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 22A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 35A,

قائمة الرغبات
VS-ST730C18L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C18L0

جزء الأسهم: 506

الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.62V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 990A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2000A,

قائمة الرغبات
VS-50RIA10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA10

جزء الأسهم: 6606

الجهد - خارج الدولة: 100V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 50A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 80A,

قائمة الرغبات
VS-25TTS12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12STRR-M3

جزء الأسهم: 60224

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 45mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.25V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات
VS-40TPS08A-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS08A-M3

جزء الأسهم: 12948

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.85V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 35A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 55A,

قائمة الرغبات
VS-ST780C04L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST780C04L0

جزء الأسهم: 634

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.31V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1350A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2700A,

قائمة الرغبات
VS-ST230C14C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C14C1

جزء الأسهم: 1122

الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.69V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 410A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 780A,

قائمة الرغبات
VS-ST1200C16K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C16K0P

جزء الأسهم: 375

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.73V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3080A,

قائمة الرغبات
VS-ST330S08P1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S08P1

جزء الأسهم: 467

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 520A,

قائمة الرغبات
VS-ST300C16L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C16L0

جزء الأسهم: 570

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.18V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 560A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1115A,

قائمة الرغبات
VS-ST303S04PFN0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S04PFN0

جزء الأسهم: 486

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 300A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 471A,

قائمة الرغبات
VS-ST230S08P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S08P1VPBF

جزء الأسهم: 1014

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.55V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 230A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 360A,

قائمة الرغبات
VS-ST183C04CFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST183C04CFN1

جزء الأسهم: 1066

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 370A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 690A,

قائمة الرغبات
VS-ST300C20L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C20L0

جزء الأسهم: 509

الجهد - خارج الدولة: 2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.18V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 560A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1115A,

قائمة الرغبات
VS-ST330C04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C04C1

جزء الأسهم: 1010

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 720A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1420A,

قائمة الرغبات
VS-22RIA20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA20

جزء الأسهم: 7817

الجهد - خارج الدولة: 200V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 22A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 35A,

قائمة الرغبات