الثايرستور - SCRs | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 21

VS-ST180C20C0

جزء الأسهم: 720

الجهد - خارج الدولة: 2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 350A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 660A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS16PBF

جزء الأسهم: 12393

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.85V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 35A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 55A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFM1

جزء الأسهم: 858

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 85A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C14C1L

جزء الأسهم: 1143

الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.69V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 410A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 780A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CFJ1

جزء الأسهم: 720

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 620A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1180A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C08K0

جزء الأسهم: 266

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.62V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1745A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3200A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12STRL-M3

جزء الأسهم: 60767

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 45mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.25V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16C3

جزء الأسهم: 740

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 720A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1420A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA60M

جزء الأسهم: 2615

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 50A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 80A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C12K0

جزء الأسهم: 213

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.73V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3080A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K0P

جزء الأسهم: 335

الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.62V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1745A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3200A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S04P0V

جزء الأسهم: 823

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 200A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 314A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFJ1

جزء الأسهم: 429

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 620A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1180A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300S18M0PBF

جزء الأسهم: 383

الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.66V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 300A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 470A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04CFN1

جزء الأسهم: 836

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 620A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1180A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S08P0PBF

جزء الأسهم: 552

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 520A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16P0PBF

جزء الأسهم: 491

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 520A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S04PFL0

جزء الأسهم: 445

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 300A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 471A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S08P1V

جزء الأسهم: 736

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.55V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 230A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 360A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04LFL0

جزء الأسهم: 509

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 720A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1435A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S08PFL1

جزء الأسهم: 419

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 300A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 471A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CFK1

جزء الأسهم: 662

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 620A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1180A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C18C1

جزء الأسهم: 736

الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 350A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 660A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI80

جزء الأسهم: 1179

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.35V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 180A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 285A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S14P0

جزء الأسهم: 433

الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 520A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI40

جزء الأسهم: 1258

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.35V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 180A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 285A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C10CFK0

جزء الأسهم: 1085

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.07V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 610A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C22K0L

جزء الأسهم: 393

الجهد - خارج الدولة: 2.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1473A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2913A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C10CFP0

جزء الأسهم: 1001

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.07V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 610A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S08PFL0

جزء الأسهم: 471

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 518A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16STRL-M3

جزء الأسهم: 52738

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 45mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.25V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16L0L

جزء الأسهم: 572

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 720A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1420A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S08M1V

جزء الأسهم: 737

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 200A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 314A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380CH06C1

جزء الأسهم: 737

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.58V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 960A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 2220A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08LFM0

جزء الأسهم: 441

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 720A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1435A,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-181RKI100

جزء الأسهم: 1038

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.35V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 180A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 285A,

قائمة الرغبات