Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

VS-71HF140
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-71HF140

جزء الأسهم: 5129

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.46V @ 220A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS16-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS16-E3/5AT

جزء الأسهم: 184975

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-16FLR60S05
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16FLR60S05

جزء الأسهم: 13058

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 16A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
VS-10WQ045FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10WQ045FNTR-M3

جزء الأسهم: 174439

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 630mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-1N3211
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3211

جزء الأسهم: 14280

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 15A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-1N1205A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N1205A

جزء الأسهم: 18413

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 500V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.35V @ 12A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-MBRD330TRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD330TRL-M3

جزء الأسهم: 185197

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-70HFL20S02
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HFL20S02

جزء الأسهم: 6765

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.85V @ 219.8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
VS-42HF80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-42HF80

جزء الأسهم: 11826

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 125A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-6FR80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6FR80

جزء الأسهم: 17824

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 19A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-12FR40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12FR40

جزء الأسهم: 19024

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.26V @ 38A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-1N3882
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3882

جزء الأسهم: 14344

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 300ns,

قائمة الرغبات
VS-1N1186RA
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N1186RA

جزء الأسهم: 9707

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 126A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CS1M-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

CS1M-E3/H

جزء الأسهم: 105

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.12V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.5µs,

قائمة الرغبات
VS-1N3210R
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3210R

جزء الأسهم: 17640

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 15A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S1G-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1G-M3/5AT

جزء الأسهم: 173338

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات
VS-1N3881
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3881

جزء الأسهم: 16505

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 300ns,

قائمة الرغبات
VS-6TQ045STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ045STRL-M3

جزء الأسهم: 107397

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-85HFLR80S05
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-85HFLR80S05

جزء الأسهم: 6340

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 85A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.75V @ 266.9A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
VS-6F40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6F40

جزء الأسهم: 17812

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 19A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS14HE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS14HE3_B/I

جزء الأسهم: 143

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-6FL100S05
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6FL100S05

جزء الأسهم: 13024

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
VS-72HFR80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-72HFR80

جزء الأسهم: 8623

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.35V @ 220A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-72HFR10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-72HFR10

جزء الأسهم: 8884

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.35V @ 220A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-41HFR160M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-41HFR160M

جزء الأسهم: 4160

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 125A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-41HF140
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-41HF140

جزء الأسهم: 7060

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 125A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-6FR100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6FR100

جزء الأسهم: 14093

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 19A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-12FR10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12FR10

جزء الأسهم: 22784

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.26V @ 38A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
US1K-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

US1K-M3/5AT

جزء الأسهم: 112270

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS2FH10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2FH10-M3/I

جزء الأسهم: 138848

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 860mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CS1M-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

CS1M-E3/I

جزء الأسهم: 168122

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.5µs,

قائمة الرغبات
VS-85HFR80M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-85HFR80M

جزء الأسهم: 3936

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 85A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 267A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
ES1CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

ES1CHE3_A/H

جزء الأسهم: 139091

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 25ns,

قائمة الرغبات
SS1F4HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1F4HM3/I

جزء الأسهم: 148380

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 520mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-16F20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16F20

جزء الأسهم: 23379

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.23V @ 50A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-1N1188R
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N1188R

جزء الأسهم: 15235

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 110A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات