Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

VS-71HF80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-71HF80

جزء الأسهم: 6884

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.35V @ 220A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-10TQ045STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ045STRRHM3

جزء الأسهم: 69346

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-50WQ03FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNTRRHM3

جزء الأسهم: 163454

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 460mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SA2J-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

SA2J-M3/5AT

جزء الأسهم: 172028

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 2A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.5µs,

قائمة الرغبات
VS-175BGQ030HF4
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-175BGQ030HF4

جزء الأسهم: 12547

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 175A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 590mV @ 175A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-6FLR80S05
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6FLR80S05

جزء الأسهم: 12963

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
VS-70HFL10S05
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HFL10S05

جزء الأسهم: 7032

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.85V @ 219.8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
VS-40HFLR60S02M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HFLR60S02M

جزء الأسهم: 4211

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 125A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-12TQ035STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ035STRL-M3

جزء الأسهم: 90025

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS24SHE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS24SHE3_B/I

جزء الأسهم: 125

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S1B-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1B-M3/5AT

جزء الأسهم: 196535

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات
VS-12FL80S05
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12FL80S05

جزء الأسهم: 12307

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
VS-30WQ04FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ04FNTRLHM3

جزء الأسهم: 101812

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 530mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-2EMH01-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EMH01-M3/5AT

جزء الأسهم: 128994

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 25ns,

قائمة الرغبات
VS-MBRB735-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB735-M3

جزء الأسهم: 137372

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 7.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
CSA2D-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

CSA2D-E3/H

جزء الأسهم: 162

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 2A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.1µs,

قائمة الرغبات
VS-50WQ06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ06FNTRL-M3

جزء الأسهم: 183446

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS1FH10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1FH10-M3/I

جزء الأسهم: 119310

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-71HFR160M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-71HFR160M

جزء الأسهم: 3607

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.46V @ 220A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-72HFR60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-72HFR60

جزء الأسهم: 8691

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.35V @ 220A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-85HF10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-85HF10

جزء الأسهم: 8698

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 85A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 267A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-16F80M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16F80M

جزء الأسهم: 8745

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.23V @ 50A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS23S-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS23S-M3/61T

جزء الأسهم: 196490

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-85HF20M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-85HF20M

جزء الأسهم: 3892

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 85A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 267A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
ESH1B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

ESH1B-E3/5AT

جزء الأسهم: 193072

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 25ns,

قائمة الرغبات
VS-70HF140M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HF140M

جزء الأسهم: 4564

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.46V @ 220A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-72HFR160
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-72HFR160

جزء الأسهم: 6220

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.46V @ 220A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-1N2137A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N2137A

جزء الأسهم: 7865

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 500V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 188A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-12TQ040S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ040S-M3

جزء الأسهم: 115556

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-6FR100M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6FR100M

جزء الأسهم: 8680

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 19A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S1J-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1J-M3/61T

جزء الأسهم: 194276

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات
VS-1N3889
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3889

جزء الأسهم: 14203

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 300ns,

قائمة الرغبات
VS-6FL60S02
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6FL60S02

جزء الأسهم: 13567

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
VS-85HFR140
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-85HFR140

جزء الأسهم: 7047

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 85A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 267A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-70HFR120M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HFR120M

جزء الأسهم: 4382

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.35V @ 220A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-40HFLR20S02
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HFLR20S02

جزء الأسهم: 10473

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.95V @ 40A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات