Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

VS-10TQ035STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ035STRLHM3

جزء الأسهم: 68781

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-50WQ06FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ06FNTRLHM3

جزء الأسهم: 85985

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-6TQ040S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ040S-M3

جزء الأسهم: 137750

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-8TQ080STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ080STRLHM3

جزء الأسهم: 69374

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-50WQ04FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ04FNTR-M3

جزء الأسهم: 122267

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 510mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-30WQ06FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ06FNTRHM3

جزء الأسهم: 101393

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 610mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-MBRD320-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD320-M3

جزء الأسهم: 103779

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-12TQ045STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ045STRRHM3

جزء الأسهم: 70225

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V8P6HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P6HM3_A/H

جزء الأسهم: 127

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 610mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-50WQ06FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ06FNTRRHM3

جزء الأسهم: 86043

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS10PH45-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10PH45-M3/86A

جزء الأسهم: 139624

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
GP10G-4004HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10G-4004HE3/54

جزء الأسهم: 129060

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-30WQ03FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ03FNTRL-M3

جزء الأسهم: 118871

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS3P3L-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P3L-M3/86A

جزء الأسهم: 111263

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 470mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-19TQ015STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-19TQ015STRR-M3

جزء الأسهم: 102

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 15V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 19A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 460mV @ 38A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-30WQ10FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ10FNTRLHM3

جزء الأسهم: 99885

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 810mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-18TQ040HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ040HN3

جزء الأسهم: 76719

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 18A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 18A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-30WQ04FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ04FNTRL-M3

جزء الأسهم: 129619

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 530mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-8TQ100S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100S-M3

جزء الأسهم: 113298

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-12TQ040STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ040STRR-M3

جزء الأسهم: 90498

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-12TQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ035STRR-M3

جزء الأسهم: 90036

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-STPS1045BTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-STPS1045BTR-M3

جزء الأسهم: 178165

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 630mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-6ESH06-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH06-M3/87A

جزء الأسهم: 191284

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 40ns,

قائمة الرغبات
S4PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PGHM3_A/I

جزء الأسهم: 145380

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 4A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.5µs,

قائمة الرغبات
GP10G-4004EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10G-4004EHE3/54

جزء الأسهم: 150832

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS8P3L-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3L-M3/87A

جزء الأسهم: 118173

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S4PK-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PK-M3/87A

جزء الأسهم: 194886

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 4A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.5µs,

قائمة الرغبات
S4PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PDHM3_A/H

جزء الأسهم: 157718

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 4A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.5µs,

قائمة الرغبات
VS-10TQ035S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ035S-M3

جزء الأسهم: 104301

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S4PMHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PMHM3_A/H

جزء الأسهم: 151082

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 4A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.5µs,

قائمة الرغبات
V20PL60-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PL60-M3/87A

جزء الأسهم: 175842

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 590mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS8P3LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3LHM3_A/H

جزء الأسهم: 198099

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS10P4HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P4HM3_A/H

جزء الأسهم: 184702

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-50WQ04FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ04FNTRLHM3

جزء الأسهم: 86690

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 510mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-12TQ040SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ040SHM3

جزء الأسهم: 84992

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-19TQ015STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-19TQ015STRL-M3

جزء الأسهم: 76226

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 15V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 19A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 360mV @ 19A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات