Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

VS-50WQ10FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ10FNTRRHM3

جزء الأسهم: 84456

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 770mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-6TQ035S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ035S-M3

جزء الأسهم: 137173

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V10P10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P10HM3_A/I

جزء الأسهم: 165407

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 680mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS3P4HE3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P4HE3/85A

جزء الأسهم: 147714

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V25PL60-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V25PL60-M3/87A

جزء الأسهم: 175827

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 630mV @ 25A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-8TQ100STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100STRL-M3

جزء الأسهم: 89223

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S4PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PG-M3/86A

جزء الأسهم: 155152

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 4A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.5µs,

قائمة الرغبات
SS12P2L-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P2L-M3/87A

جزء الأسهم: 190434

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-30WQ10FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ10FN-M3

جزء الأسهم: 160826

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 810mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V15P8-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P8-M3/87A

جزء الأسهم: 174345

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4.6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 660mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V8PM10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PM10-M3/H

جزء الأسهم: 163

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-18TQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ045STRR-M3

جزء الأسهم: 74294

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 18A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 18A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-50WQ03FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNTR-M3

جزء الأسهم: 149737

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 460mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-12TQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ045STRR-M3

جزء الأسهم: 89952

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S5PMS-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5PMS-M3/86A

جزء الأسهم: 103193

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 940mV @ 2.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.5µs,

قائمة الرغبات
VS-12TQ040STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ040STRL-M3

جزء الأسهم: 90505

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V10PM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM10HM3/I

جزء الأسهم: 136

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-4ESH02HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4ESH02HM3/87A

جزء الأسهم: 162247

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 930mV @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 25ns,

قائمة الرغبات
VS-MBRB1045-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1045-M3

جزء الأسهم: 127819

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-MBRB1045TRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1045TRL-M3

جزء الأسهم: 41979

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-30WQ03FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ03FNTRR-M3

جزء الأسهم: 150468

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS10P3HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3HM3_A/H

جزء الأسهم: 184643

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-50WQ06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ06FNTRR-M3

جزء الأسهم: 193615

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-30WQ06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ06FNTRL-M3

جزء الأسهم: 194467

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 610mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S4PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PJHM3_A/I

جزء الأسهم: 196085

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 4A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.5µs,

قائمة الرغبات
SS3P3LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P3LHM3_A/H

جزء الأسهم: 153102

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 470mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-50WQ03FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNTRLHM3

جزء الأسهم: 163940

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 460mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-50WQ10FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ10FNTRHM3

جزء الأسهم: 84444

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 770mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S5PMS-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5PMS-M3/87A

جزء الأسهم: 117706

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 2A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.5µs,

قائمة الرغبات
SS3P4LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P4LHM3_A/I

جزء الأسهم: 197445

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 470mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-100BGQ015HF4
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-100BGQ015HF4

جزء الأسهم: 15969

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 15V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 520mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V15P45HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P45HM3_A/H

جزء الأسهم: 125

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-MBRB1645TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1645TRR-M3

جزء الأسهم: 73811

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 630mV @ 16A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
GP10D-4003HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10D-4003HE3/54

جزء الأسهم: 133983

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SB220-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB220-E3/54

جزء الأسهم: 164121

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-8TQ100SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100SHM3

جزء الأسهم: 83725

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات