الثنائيات - المقومات - مفرد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 100

SB250-E3/73

جزء الأسهم: 155300

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 680mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1645TRL-M3

جزء الأسهم: 73852

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 630mV @ 16A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESU06HM3/87A

جزء الأسهم: 157331

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 58ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH01HM3/86A

جزء الأسهم: 114171

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 940mV @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 22ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ035STRRHM3

جزء الأسهم: 68740

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ035STRL-M3

جزء الأسهم: 73749

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 18A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 18A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB735TRR-M3

جزء الأسهم: 108885

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 7.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PN50-M3/87A

جزء الأسهم: 132705

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 5.3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

GL41D/54

جزء الأسهم: 130394

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-STPS1045B-M3

جزء الأسهم: 178240

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 630mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10WQ045FNTRRHM3

جزء الأسهم: 62357

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 10mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 630mV @ 10A, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ035STRR-M3

جزء الأسهم: 107964

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15PM10-M3/I

جزء الأسهم: 100

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ040HN3

جزء الأسهم: 115529

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS22/1

جزء الأسهم: 119654

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-100BGQ045HF4

جزء الأسهم: 15904

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 770mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD340TRL-M3

جزء الأسهم: 184854

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ06FNTR-M3

جزء الأسهم: 185417

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 3.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 610mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-100BGQ100HF4

جزء الأسهم: 15724

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 630mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ035S-M3

جزء الأسهم: 114467

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ045STRLHM3

جزء الأسهم: 68110

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ06FNTRHM3

جزء الأسهم: 86081

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 5.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HFLR60S02

جزء الأسهم: 4772

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.85V @ 219.8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ035STRL-M3

جزء الأسهم: 88650

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ035HN3

جزء الأسهم: 76769

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 18A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 18A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PL6-M3/86A

جزء الأسهم: 115386

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 4.3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ04FNTRHM3

جزء الأسهم: 86711

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 5.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 510mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P12-M3/I

جزء الأسهم: 133

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 810mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P45HM3_A/H

جزء الأسهم: 161

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P45-M3/87A

جزء الأسهم: 139828

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 4.3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ035STRLHM3

جزء الأسهم: 70196

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10WQ045FNHM3

جزء الأسهم: 62384

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 630mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ040STRLHM3

جزء الأسهم: 70225

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1635TRL-M3

جزء الأسهم: 79595

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 630mV @ 16A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNTRR-M3

جزء الأسهم: 131298

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 5.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 460mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1635-M3

جزء الأسهم: 95318

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 630mV @ 16A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات