الثنائيات - المقومات - مفرد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 100

SS12P3LHM3_A/I

جزء الأسهم: 190363

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PM-M3/87A

جزء الأسهم: 155600

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 4A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.5µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P6HM3_A/H

جزء الأسهم: 82

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 590mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ035STRRHM3

جزء الأسهم: 70233

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-400U80D

جزء الأسهم: 1172

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 400A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.62V @ 1500A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P10HM3_A/I

جزء الأسهم: 193778

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 3.9A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 830mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10WQ045FNTRLHM3

جزء الأسهم: 62422

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 630mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100STRLHM3

جزء الأسهم: 69195

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P8HM3_A/H

جزء الأسهم: 156

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 680mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P20-M3/87A

جزء الأسهم: 123684

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2.2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-19TQ015S-M3

جزء الأسهم: 93743

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 15V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 19A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 360mV @ 19A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS24/1

جزء الأسهم: 197771

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12F80

جزء الأسهم: 16165

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.26V @ 38A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

US1J-M3/5AT

جزء الأسهم: 181290

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SA2G-E3/61T

جزء الأسهم: 148498

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 2A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.5µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N1189RA

جزء الأسهم: 11809

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 500V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 126A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HFL60S05

جزء الأسهم: 8997

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.95V @ 40A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6FR10

جزء الأسهم: 14081

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 19A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12FL60S05

جزء الأسهم: 13745

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N1183R

جزء الأسهم: 15921

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 35A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 110A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-150UR60D

جزء الأسهم: 2128

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.47V @ 600A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

US1D-E3/5AT

جزء الأسهم: 148950

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ045STRL-M3

جزء الأسهم: 90962

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 560mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-45LR10

جزء الأسهم: 2224

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.33V @ 471A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1P4LHE3/84A

جزء الأسهم: 112187

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 480mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SA2M-E3/61T

جزء الأسهم: 170801

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 2A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.5µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-41HFR40M

جزء الأسهم: 4211

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 125A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-85HFR100

جزء الأسهم: 6208

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 85A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 267A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

S1J-M3/5AT

جزء الأسهم: 184482

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

GL41M/54

جزء الأسهم: 146994

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HFR60M

جزء الأسهم: 4388

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.35V @ 220A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-45L60

جزء الأسهم: 2118

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.33V @ 471A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2FL4-M3/I

جزء الأسهم: 125741

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

CSA2K-E3/H

جزء الأسهم: 118

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 2A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.1µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-88HF40

جزء الأسهم: 8237

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 85A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 267A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-42HF120

جزء الأسهم: 11471

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 125A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات