Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

SIA436DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA436DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 119071

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.4 mOhm @ 15.7A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI6415DQ-T1-E3
Vishay Siliconix

SI6415DQ-T1-E3

جزء الأسهم: 101835

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 6.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SIRA01DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA01DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 9909

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 26A (Ta), 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SQJ407EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ407EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 134372

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.4 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SIB408DK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB408DK-T1-GE3

جزء الأسهم: 127930

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
SI5468DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5468DC-T1-GE3

جزء الأسهم: 193145

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 6.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IRL530PBF
Vishay Siliconix

IRL530PBF

جزء الأسهم: 51245

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 9A, 5V,

قائمة الرغبات
IRFU9214PBF
Vishay Siliconix

IRFU9214PBF

جزء الأسهم: 98690

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 1.7A, 10V,

قائمة الرغبات
SISH106DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISH106DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 9993

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SIS439DNT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS439DNT-T1-GE3

جزء الأسهم: 185636

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR158DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR158DP-T1-RE3

جزء الأسهم: 9977

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI8457DB-T1-E1
Vishay Siliconix

SI8457DB-T1-E1

جزء الأسهم: 116255

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 3A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SQ3418EEV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SQ3418EEV-T1-GE3

جزء الأسهم: 1167

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
SI5429DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5429DU-T1-GE3

جزء الأسهم: 1399

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7430DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7430DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 61511

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 26A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
SI5855CDC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5855CDC-T1-E3

جزء الأسهم: 130824

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7868ADP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7868ADP-T1-E3

جزء الأسهم: 30942

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.25 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIRA10DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA10DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 158534

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.7 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SQJA68EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJA68EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 9941

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 92 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
SQ2360EES-T1-GE3
Vishay Siliconix

SQ2360EES-T1-GE3

جزء الأسهم: 1242

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 85 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
SI1403BDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1403BDL-T1-GE3

جزء الأسهم: 9957

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7309DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7309DN-T1-E3

جزء الأسهم: 158562

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 115 mOhm @ 3.9A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR1N60ATRLPBF
Vishay Siliconix

IRFR1N60ATRLPBF

جزء الأسهم: 98672

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

قائمة الرغبات
SIHD9N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHD9N60E-GE3

جزء الأسهم: 78467

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 368 mOhm @ 4.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SIS452DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS452DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 125881

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.25 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SQ1420EEH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SQ1420EEH-T1-GE3

جزء الأسهم: 1196

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 1.2A, 10V,

قائمة الرغبات
SIRA26DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA26DP-T1-RE3

جزء الأسهم: 9924

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI2374DS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2374DS-T1-GE3

جزء الأسهم: 137862

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SIRC18DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRC18DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 9922

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.1 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI1499DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1499DH-T1-E3

جزء الأسهم: 153359

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 78 mOhm @ 2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7113DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7113DN-T1-E3

جزء الأسهم: 52520

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 134 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
SIRC10DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRC10DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 188404

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR616DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR616DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 111187

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7106DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7106DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 141992

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SISA04DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA04DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 132149

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.15 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SQ3426EEV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SQ3426EEV-T1-GE3

جزء الأسهم: 1231

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات