Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

SIA448DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA448DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 169988

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 12.4A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI4404DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4404DY-T1-E3

جزء الأسهم: 1527

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 23A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4434DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4434DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 68716

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 155 mOhm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFI624GPBF
Vishay Siliconix

IRFI624GPBF

جزء الأسهم: 1532

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.1 Ohm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات
SIE832DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE832DF-T1-GE3

جزء الأسهم: 43943

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLZ14S
Vishay Siliconix

IRLZ14S

جزء الأسهم: 1538

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V,

قائمة الرغبات
SI4386DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4386DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 159083

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR210PBF
Vishay Siliconix

IRFR210PBF

جزء الأسهم: 69131

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

قائمة الرغبات
SQ4182EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4182EY-T1_GE3

جزء الأسهم: 10824

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.8 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4455DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4455DY-T1-E3

جزء الأسهم: 73600

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 295 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4412ADY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4412ADY-T1-E3

جزء الأسهم: 1496

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4426DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4426DY-T1-E3

جزء الأسهم: 108121

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 8.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SUP75N03-04-E3
Vishay Siliconix

SUP75N03-04-E3

جزء الأسهم: 1524

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
SUD35N05-26L-E3
Vishay Siliconix

SUD35N05-26L-E3

جزء الأسهم: 1474

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4425BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4425BDY-T1-GE3

جزء الأسهم: 78344

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 11.4A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF9530PBF
Vishay Siliconix

IRF9530PBF

جزء الأسهم: 45568

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 7.2A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4800BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4800BDY-T1-E3

جزء الأسهم: 126818

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4464DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4464DY-T1-E3

جزء الأسهم: 159052

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 240 mOhm @ 2.2A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4100DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4100DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 125140

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 63 mOhm @ 4.4A, 10V,

قائمة الرغبات
SUD23N06-31L-E3
Vishay Siliconix

SUD23N06-31L-E3

جزء الأسهم: 118954

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 31 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4010DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4010DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 167778

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 31.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.4 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
IRL520PBF
Vishay Siliconix

IRL520PBF

جزء الأسهم: 63689

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 270 mOhm @ 5.5A, 5V,

قائمة الرغبات
SI4831BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4831BDY-T1-E3

جزء الأسهم: 1596

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
SI9433BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI9433BDY-T1-GE3

جزء الأسهم: 100195

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 6.2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SQ4425EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4425EY-T1_GE3

جزء الأسهم: 10789

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات
SQ4483EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4483EY-T1_GE3

جزء الأسهم: 10770

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4103DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4103DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 10820

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.9 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SQ4483BEEY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4483BEEY-T1_GE3

جزء الأسهم: 10837

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFDC20PBF
Vishay Siliconix

IRFDC20PBF

جزء الأسهم: 29452

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 320mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.4 Ohm @ 190mA, 10V,

قائمة الرغبات
SIHH28N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIHH28N60E-T1-GE3

جزء الأسهم: 10451

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 29A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 98 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4888DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4888DY-T1-E3

جزء الأسهم: 1502

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7790DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7790DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 49817

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.5 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4884BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4884BDY-T1-E3

جزء الأسهم: 128225

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFP460NPBF
Vishay Siliconix

IRFP460NPBF

جزء الأسهم: 1584

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 240 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
SUD50N06-07L-E3
Vishay Siliconix

SUD50N06-07L-E3

جزء الأسهم: 1499

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 96A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.4 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4143DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4143DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 81402

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.2 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات