الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 100

SI4490DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 93663

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.85A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4162DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 136243

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 19.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.9 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SQD25N06-22L_T4GE3

جزء الأسهم: 10819

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI5415EDU-T1-GE3

جزء الأسهم: 183179

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.8 mOhm @ 10A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7860DP-T1-E3

جزء الأسهم: 1536

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRFU010

جزء الأسهم: 1519

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 4.2A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4104DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 1595

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4378DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 85858

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 19A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRLR014

جزء الأسهم: 23606

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SUP75P05-08-E3

جزء الأسهم: 1496

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIS426DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 1603

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SQ4005EY-T1_GE3

جزء الأسهم: 10757

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 22 mOhm@ 13.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4465ADY-T1-E3

جزء الأسهم: 78313

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 14A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4156DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 176158

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 15.7A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4062DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 95264

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 32.1A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SUD50N04-05L-E3

جزء الأسهم: 6234

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 115A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.4 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRFD113PBF

جزء الأسهم: 70512

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 800mA (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 800mA, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI2305ADS-T1-E3

جزء الأسهم: 1483

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 4.1A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI2392DS-T1-GE3

جزء الأسهم: 1591

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.1A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 126 mOhm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRF1405ZTRR

جزء الأسهم: 1590

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.9 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI1307DL-T1-E3

جزء الأسهم: 1508

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 850mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 290 mOhm @ 1A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI3445DV-T1-E3

جزء الأسهم: 1520

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRF9620PBF

جزء الأسهم: 49857

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4455DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 38974

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 295 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SUP70N03-09BP-E3

جزء الأسهم: 1478

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 70A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRFU310PBF

جزء الأسهم: 44193

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 400V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.6 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4122DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 87608

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 27.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.5 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4688DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 1587

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI5435BDC-T1-E3

جزء الأسهم: 1548

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 4.3A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SUM60N02-3M9P-E3

جزء الأسهم: 29222

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4860DY-T1-E3

جزء الأسهم: 1535

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 16A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4634DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 86565

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4427BDY-T1-GE3

جزء الأسهم: 83615

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.5 mOhm @ 12.6A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI3445ADV-T1-E3

جزء الأسهم: 6214

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4823DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 150097

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.1A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 108 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SISA18DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 1484

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 38.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات