Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

SI7317DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7317DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 140959

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
SIHFR1N60A-GE3
Vishay Siliconix

SIHFR1N60A-GE3

جزء الأسهم: 9973

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

قائمة الرغبات
SUM110N03-04P-E3
Vishay Siliconix

SUM110N03-04P-E3

جزء الأسهم: 1412

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 110A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHD6N62E-GE3
Vishay Siliconix

SIHD6N62E-GE3

جزء الأسهم: 10246

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 900 mOhm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات
SIE820DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE820DF-T1-GE3

جزء الأسهم: 1474

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 18A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI3476DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3476DV-T1-GE3

جزء الأسهم: 108008

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 93 mOhm @ 3.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SIRA52DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA52DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 118887

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.7 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3443CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3443CDV-T1-GE3

جزء الأسهم: 193900

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.97A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

قائمة الرغبات
IRFP460APBF
Vishay Siliconix

IRFP460APBF

جزء الأسهم: 17996

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 270 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
SI2371EDS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2371EDS-T1-GE3

جزء الأسهم: 147875

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 3.7A, 10V,

قائمة الرغبات
SIS435DNT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS435DNT-T1-GE3

جزء الأسهم: 181027

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.4 mOhm @ 13A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI8439DB-T1-E1
Vishay Siliconix

SI8439DB-T1-E1

جزء الأسهم: 114810

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7812DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7812DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 73609

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 37 mOhm @ 7.2A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7463DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7463DP-T1-E3

جزء الأسهم: 62425

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.2 mOhm @ 18.6A, 10V,

قائمة الرغبات
SQ7415AENW-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ7415AENW-T1_GE3

جزء الأسهم: 9941

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 5.7A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7655DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7655DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 93051

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI2319DDS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2319DDS-T1-GE3

جزء الأسهم: 9907

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 2.7A, 10V,

قائمة الرغبات
SUP90N06-5M0P-E3
Vishay Siliconix

SUP90N06-5M0P-E3

جزء الأسهم: 1405

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHU2N80E-GE3
Vishay Siliconix

SIHU2N80E-GE3

جزء الأسهم: 10077

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.75 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR9010TRLPBF
Vishay Siliconix

IRFR9010TRLPBF

جزء الأسهم: 108086

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 mOhm @ 2.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFS11N50APBF
Vishay Siliconix

IRFS11N50APBF

جزء الأسهم: 23664

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 520 mOhm @ 6.6A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHP25N40D-GE3
Vishay Siliconix

SIHP25N40D-GE3

جزء الأسهم: 21622

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 400V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات
SI5441BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5441BDC-T1-GE3

جزء الأسهم: 139892

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI3437DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3437DV-T1-GE3

جزء الأسهم: 195411

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 750 mOhm @ 1.4A, 10V,

قائمة الرغبات
SQ3481EV-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ3481EV-T1_GE3

جزء الأسهم: 9951

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 43 mOhm @ 5.3A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR460DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR460DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 139904

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.7 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR172ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR172ADP-T1-GE3

جزء الأسهم: 167026

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SUD45P03-10-E3
Vishay Siliconix

SUD45P03-10-E3

جزء الأسهم: 1457

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHD6N80E-GE3
Vishay Siliconix

SIHD6N80E-GE3

جزء الأسهم: 12856

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 940 mOhm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات
SQJ433EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ433EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 9965

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.1 mOhm @ 16A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR662DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR662DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 76185

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3469DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3469DV-T1-GE3

جزء الأسهم: 153423

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 6.7A, 10V,

قائمة الرغبات
SQJA80EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJA80EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 136685

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SIJ438DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIJ438DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 95214

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.35 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SQJ463EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ463EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 47733

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7114ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7114ADN-T1-GE3

جزء الأسهم: 191391

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات