الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 100

SQ2348ES-T1_GE3

جزء الأسهم: 111408

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIS888DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 100731

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRFBF20LPBF

جزء الأسهم: 26959

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRFU430APBF

جزء الأسهم: 78568

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.7 Ohm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SISH617DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 9926

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13.9A (Ta), 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.3 mOhm @ 13.9A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIHH20N50E-T1-GE3

جزء الأسهم: 13696

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 147 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SQ2361EES-T1-GE3

جزء الأسهم: 1197

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 2.4A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7230DN-T1-E3

جزء الأسهم: 113215

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIR492DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 99094

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.8 mOhm @ 15A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7738DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 25627

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 38 mOhm @ 7.7A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SQJ423EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 161774

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 55A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7617DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 186550

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.3 mOhm @ 13.9A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRFR210TRRPBF

جزء الأسهم: 118927

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI1467DH-T1-E3

جزء الأسهم: 115563

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 2A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SQ3427EEV-T1-GE3

جزء الأسهم: 1196

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 82 mOhm @ 4.5A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7454DP-T1-E3

جزء الأسهم: 99308

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 34 mOhm @ 7.8A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIR882ADP-T1-GE3

جزء الأسهم: 60958

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.7 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI3456DDV-T1-E3

جزء الأسهم: 180218

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRFR9120TRLPBF

جزء الأسهم: 142021

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 3.4A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI8461DB-T2-E1

جزء الأسهم: 152776

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRFB9N60APBF

جزء الأسهم: 26472

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRFR9214TRLPBF

جزء الأسهم: 98712

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 1.7A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI2301BDS-T1-GE3

جزء الأسهم: 122073

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIR184DP-T1-RE3

جزء الأسهم: 9967

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20.7A (Ta), 73A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.8 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIAA40DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 193455

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.5 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7425DN-T1-E3

جزء الأسهم: 1107

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 12.6A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4888DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 1017

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4850EY-T1

جزء الأسهم: 1074

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI2341DS-T1-E3

جزء الأسهم: 1091

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 72 mOhm @ 2.8A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI5441DC-T1-E3

جزء الأسهم: 1029

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 3.9A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4682DY-T1-E3

جزء الأسهم: 1045

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.4 mOhm @ 16A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7668ADP-T1-GE3

جزء الأسهم: 1072

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIE844DF-T1-E3

جزء الأسهم: 1131

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 44.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 12.1A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4823DY-T1-E3

جزء الأسهم: 132524

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.1A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 108 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRFP22N50APBF

جزء الأسهم: 16276

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 230 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI3456BDV-T1-GE3

جزء الأسهم: 1052

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات