Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

SIS782DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS782DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 9904

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SIA850DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA850DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 1464

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 190V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 950mA (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
SIDR626DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIDR626DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 9959

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 42.8A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3407DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3407DV-T1-GE3

جزء الأسهم: 142996

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
IRFRC20TRRPBF
Vishay Siliconix

IRFRC20TRRPBF

جزء الأسهم: 84916

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLZ34PBF
Vishay Siliconix

IRLZ34PBF

جزء الأسهم: 42900

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 18A, 5V,

قائمة الرغبات
SIDR668DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIDR668DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 9965

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 23.2A (Ta), 95A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHU6N80E-GE3
Vishay Siliconix

SIHU6N80E-GE3

جزء الأسهم: 9998

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 940 mOhm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR010PBF
Vishay Siliconix

IRFR010PBF

جزء الأسهم: 112442

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

قائمة الرغبات
SIE876DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE876DF-T1-GE3

جزء الأسهم: 1473

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.1 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SQ3419EEV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SQ3419EEV-T1-GE3

جزء الأسهم: 1244

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SQS484EN-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS484EN-T1_GE3

جزء الأسهم: 191306

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 16.4A, 10V,

قائمة الرغبات
SIA432DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA432DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 148604

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFZ34PBF
Vishay Siliconix

IRFZ34PBF

جزء الأسهم: 44152

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات
SI2337DS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2337DS-T1-GE3

جزء الأسهم: 163989

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V,

قائمة الرغبات
SQ3442EV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SQ3442EV-T1-GE3

جزء الأسهم: 1221

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 4A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SIHA25N60EFL-E3
Vishay Siliconix

SIHA25N60EFL-E3

جزء الأسهم: 14046

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 146 mOhm @ 12.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7772DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7772DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 194051

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SISA26DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA26DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 9988

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4410BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4410BDY-T1-E3

جزء الأسهم: 144634

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFU9120PBF
Vishay Siliconix

IRFU9120PBF

جزء الأسهم: 43383

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 3.4A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR420TRLPBF
Vishay Siliconix

IRFR420TRLPBF

جزء الأسهم: 93110

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 1.4A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7738DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7738DP-T1-E3

جزء الأسهم: 43974

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 38 mOhm @ 7.7A, 10V,

قائمة الرغبات
SI8416DB-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI8416DB-T1-GE3

جزء الأسهم: 6167

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SQ7415AEN-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ7415AEN-T1_GE3

جزء الأسهم: 142943

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 5.7A, 10V,

قائمة الرغبات
SQS420EN-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS420EN-T1_GE3

جزء الأسهم: 191334

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI1406DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1406DH-T1-E3

جزء الأسهم: 1472

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 3.9A, 4.5V,

قائمة الرغبات
IRF9520PBF
Vishay Siliconix

IRF9520PBF

جزء الأسهم: 72559

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 4.1A, 10V,

قائمة الرغبات
SI2319DS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2319DS-T1-GE3

جزء الأسهم: 164425

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 82 mOhm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7892BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7892BDP-T1-GE3

جزء الأسهم: 104599

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR024TRLPBF
Vishay Siliconix

IRFR024TRLPBF

جزء الأسهم: 91025

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR214TRLPBF
Vishay Siliconix

IRFR214TRLPBF

جزء الأسهم: 113500

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 1.3A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR698DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR698DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 125808

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7464DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7464DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 80856

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 240 mOhm @ 2.8A, 10V,

قائمة الرغبات
SQ3418EV-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ3418EV-T1_GE3

جزء الأسهم: 9903

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
SIS456DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS456DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 164051

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.1 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات