Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

SI5475BDC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5475BDC-T1-E3

جزء الأسهم: 1068

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7601DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7601DN-T1-E3

جزء الأسهم: 1114

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19.2 mOhm @ 11A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SUM75N15-18P-E3
Vishay Siliconix

SUM75N15-18P-E3

جزء الأسهم: 6120

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7402DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7402DN-T1-E3

جزء الأسهم: 1102

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI1054X-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1054X-T1-E3

جزء الأسهم: 1003

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 95 mOhm @ 1.32A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7392ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7392ADP-T1-GE3

جزء الأسهم: 1110

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 12.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3879DV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3879DV-T1-E3

جزء الأسهم: 6180

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI1037X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1037X-T1-GE3

جزء الأسهم: 1055

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 770mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 195 mOhm @ 770mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI4880DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4880DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 1110

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات
SUP60N10-16L-E3
Vishay Siliconix

SUP60N10-16L-E3

جزء الأسهم: 1121

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
SI5480DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5480DU-T1-GE3

جزء الأسهم: 1094

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 7.2A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7866ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7866ADP-T1-GE3

جزء الأسهم: 33379

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI5479DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5479DU-T1-GE3

جزء الأسهم: 1039

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 6.9A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SUD50N06-07L-GE3
Vishay Siliconix

SUD50N06-07L-GE3

جزء الأسهم: 1025

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 96A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.4 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SUP85N02-03-E3
Vishay Siliconix

SUP85N02-03-E3

جزء الأسهم: 1089

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 85A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 30A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7774DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7774DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 981

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.8 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI5401DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5401DC-T1-GE3

جزء الأسهم: 1026

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 32 mOhm @ 5.2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7635DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7635DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 130303

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.9 mOhm @ 26A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3454CDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3454CDV-T1-E3

جزء الأسهم: 1006

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 3.8A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7674DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7674DP-T1-E3

جزء الأسهم: 1079

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SUD08P06-155L-T4E3
Vishay Siliconix

SUD08P06-155L-T4E3

جزء الأسهم: 1074

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 155 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
SI1056X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1056X-T1-GE3

جزء الأسهم: 984

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 89 mOhm @ 1.32A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SIE854DF-T1-E3
Vishay Siliconix

SIE854DF-T1-E3

جزء الأسهم: 1125

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14.2 mOhm @ 13.2A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7888DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7888DP-T1-E3

جزء الأسهم: 1091

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 12.4A, 10V,

قائمة الرغبات
SI1072X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1072X-T1-GE3

جزء الأسهم: 1045

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 93 mOhm @ 1.3A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7160DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7160DP-T1-E3

جزء الأسهم: 1073

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.7 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4411DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4411DY-T1-E3

جزء الأسهم: 1074

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات
SI5463EDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5463EDC-T1-GE3

جزء الأسهم: 1119

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 62 mOhm @ 4A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI4484EY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4484EY-T1-GE3

جزء الأسهم: 6124

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 34 mOhm @ 6.9A, 10V,

قائمة الرغبات
SI1471DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1471DH-T1-E3

جزء الأسهم: 157609

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات
SIE854DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE854DF-T1-GE3

جزء الأسهم: 1035

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14.2 mOhm @ 13.2A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7886ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7886ADP-T1-GE3

جزء الأسهم: 1115

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4840DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4840DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 1076

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4404DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4404DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 6105

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 23A, 10V,

قائمة الرغبات
SI5913DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5913DC-T1-GE3

جزء الأسهم: 166185

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 84 mOhm @ 3.7A, 10V,

قائمة الرغبات
SUD50N03-12P-E3
Vishay Siliconix

SUD50N03-12P-E3

جزء الأسهم: 1096

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات