Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

SI4409DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4409DY-T1-E3

جزء الأسهم: 1075

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
SI4406DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4406DY-T1-E3

جزء الأسهم: 1020

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIE844DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE844DF-T1-GE3

جزء الأسهم: 1087

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 44.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 12.1A, 10V,

قائمة الرغبات
SUM90P10-19-E3
Vishay Siliconix

SUM90P10-19-E3

جزء الأسهم: 1159

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SQD50N04-09H-GE3
Vishay Siliconix

SQD50N04-09H-GE3

جزء الأسهم: 1184

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIJ400DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIJ400DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 6205

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7664DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7664DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 1113

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.1 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SUD50P10-43-E3
Vishay Siliconix

SUD50P10-43-E3

جزء الأسهم: 1087

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 38A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 43 mOhm @ 9.4A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7388DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7388DP-T1-E3

جزء الأسهم: 1082

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 19A, 10V,

قائمة الرغبات
SIB411DK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB411DK-T1-GE3

جزء الأسهم: 1086

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 66 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7476DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7476DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 1107

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.3 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
SUM40N02-12P-E3
Vishay Siliconix

SUM40N02-12P-E3

جزء الأسهم: 1078

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7495DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7495DP-T1-E3

جزء الأسهم: 1090

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 21A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7358ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7358ADP-T1-GE3

جزء الأسهم: 1081

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 23A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4860DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4860DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 1031

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 16A, 10V,

قائمة الرغبات
SI1405BDH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1405BDH-T1-E3

جزء الأسهم: 1044

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 112 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI6473DQ-T1-E3
Vishay Siliconix

SI6473DQ-T1-E3

جزء الأسهم: 1120

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7368DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7368DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 1045

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3805DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3805DV-T1-GE3

جزء الأسهم: 161281

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 84 mOhm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4453DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4453DY-T1-E3

جزء الأسهم: 1038

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 14A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI6465DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI6465DQ-T1-GE3

جزء الأسهم: 1118

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 8.8A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SIB488DK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB488DK-T1-GE3

جزء الأسهم: 199886

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 6.3A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7156DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7156DP-T1-E3

جزء الأسهم: 6202

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4346DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4346DY-T1-E3

جزء الأسهم: 157533

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 8A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4836DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4836DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 1061

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI1300BDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1300BDL-T1-GE3

جزء الأسهم: 6182

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 400mA (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 850 mOhm @ 250mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7452DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7452DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 1130

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.3 mOhm @ 19.3A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7440DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7440DP-T1-E3

جزء الأسهم: 1040

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 21A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4688DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4688DY-T1-E3

جزء الأسهم: 1079

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4196DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4196DY-T1-E3

جزء الأسهم: 1014

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 8A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7388DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7388DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 1128

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 19A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7454CDP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7454CDP-T1-GE3

جزء الأسهم: 947

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SI1307DL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1307DL-T1-GE3

جزء الأسهم: 1058

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 850mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 290 mOhm @ 1A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SUD06N10-225L-E3
Vishay Siliconix

SUD06N10-225L-E3

جزء الأسهم: 962

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات
SI5402DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5402DC-T1-GE3

جزء الأسهم: 1065

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 4.9A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4833ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4833ADY-T1-GE3

جزء الأسهم: 1108

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 72 mOhm @ 3.6A, 10V,

قائمة الرغبات