Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

  • منزل، بيت
  •  
  • الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد
PN2222ARLRAG
ON Semiconductor

PN2222ARLRAG

جزء الأسهم: 6094

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
FJAF6810ATU
ON Semiconductor

FJAF6810ATU

جزء الأسهم: 6140

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 750V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 1.5A, 6A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 5 @ 6A, 5V,

قائمة الرغبات
MPS2222ARLRMG
ON Semiconductor

MPS2222ARLRMG

جزء الأسهم: 6379

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
TIP117G
ON Semiconductor

TIP117G

جزء الأسهم: 106186

نوع الترانزستور: PNP - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 2mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 1000 @ 1A, 4V,

قائمة الرغبات
FJD3305H1TM
ON Semiconductor

FJD3305H1TM

جزء الأسهم: 171441

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 1A, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 8 @ 2A, 5V,

قائمة الرغبات
TIP112TU
ON Semiconductor

TIP112TU

جزء الأسهم: 99005

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 2mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 1000 @ 1A, 4V,

قائمة الرغبات
MPSA55_D75Z
ON Semiconductor

MPSA55_D75Z

جزء الأسهم: 6483

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
NJVMJD243T4G
ON Semiconductor

NJVMJD243T4G

جزء الأسهم: 164029

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 200mA, 1V,

قائمة الرغبات
KSC2334R
ON Semiconductor

KSC2334R

جزء الأسهم: 6142

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 7A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 500mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 3A, 5V,

قائمة الرغبات
FJL6825ATU
ON Semiconductor

FJL6825ATU

جزء الأسهم: 6178

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 750V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 3A, 12A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 6 @ 12A, 5V,

قائمة الرغبات
MPS750RLRPG
ON Semiconductor

MPS750RLRPG

جزء الأسهم: 6436

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 200mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 75 @ 1A, 2V,

قائمة الرغبات
MJL0281A
ON Semiconductor

MJL0281A

جزء الأسهم: 6414

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 260V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 500mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 75 @ 3A, 5V,

قائمة الرغبات
MPS2907ARLRMG
ON Semiconductor

MPS2907ARLRMG

جزء الأسهم: 6397

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
KSC3552NTU
ON Semiconductor

KSC3552NTU

جزء الأسهم: 6105

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 12A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 800V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 1.2A, 6A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 800mA, 5V,

قائمة الرغبات
MCH3205-TL-E
ON Semiconductor

MCH3205-TL-E

جزء الأسهم: 186361

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 210mV @ 100mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 100mA, 2V,

قائمة الرغبات
TIP131
ON Semiconductor

TIP131

جزء الأسهم: 6427

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 30mA, 6A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 1000 @ 4A, 4V,

قائمة الرغبات
MPS3646RLRA
ON Semiconductor

MPS3646RLRA

جزء الأسهم: 6404

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 300mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 30mA, 300mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

قائمة الرغبات
MJW21191
ON Semiconductor

MJW21191

جزء الأسهم: 6391

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 150V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 1.6A, 8A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 15 @ 4A, 2V,

قائمة الرغبات
FJPF5200OTU
ON Semiconductor

FJPF5200OTU

جزء الأسهم: 6421

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 17A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 250V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 800mA, 8A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 5µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 1A, 5V,

قائمة الرغبات
MPS2369RLRA
ON Semiconductor

MPS2369RLRA

جزء الأسهم: 6417

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 400nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 10mA, 1V,

قائمة الرغبات
MPS6562_D74Z
ON Semiconductor

MPS6562_D74Z

جزء الأسهم: 6474

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 500mA, 1V,

قائمة الرغبات
KSB1022TU
ON Semiconductor

KSB1022TU

جزء الأسهم: 6138

نوع الترانزستور: PNP - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 7A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 14mA, 7A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 2000 @ 3A, 3V,

قائمة الرغبات
TIP146TU
ON Semiconductor

TIP146TU

جزء الأسهم: 6132

نوع الترانزستور: PNP - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 40mA, 10A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 2mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 1000 @ 5A, 4V,

قائمة الرغبات
PN4258
ON Semiconductor

PN4258

جزء الأسهم: 6143

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 12V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 10mA, 3V,

قائمة الرغبات
KSC5603D
ON Semiconductor

KSC5603D

جزء الأسهم: 6104

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 800V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2.5V @ 200µA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 400mA, 3V,

قائمة الرغبات
KSH210TM
ON Semiconductor

KSH210TM

جزء الأسهم: 120951

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.8V @ 1A, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 45 @ 2A, 1V,

قائمة الرغبات
MMBT4403LT1G
ON Semiconductor

MMBT4403LT1G

جزء الأسهم: 144664

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات
P2N2907ARL1
ON Semiconductor

P2N2907ARL1

جزء الأسهم: 6424

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
MSC2712YT1G
ON Semiconductor

MSC2712YT1G

جزء الأسهم: 6480

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 2mA, 6V,

قائمة الرغبات
MPSA42_D74Z
ON Semiconductor

MPSA42_D74Z

جزء الأسهم: 6503

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 30mA, 10V,

قائمة الرغبات
FJA4313RTU
ON Semiconductor

FJA4313RTU

جزء الأسهم: 40778

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 17A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 250V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 800mA, 8A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 5µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 55 @ 1A, 5V,

قائمة الرغبات
NJVMJD3055T4G
ON Semiconductor

NJVMJD3055T4G

جزء الأسهم: 179518

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 8V @ 3.3A, 10A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 4A, 4V,

قائمة الرغبات
TIP131G
ON Semiconductor

TIP131G

جزء الأسهم: 6478

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 30mA, 6A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 1000 @ 4A, 4V,

قائمة الرغبات
KSC5047TU
ON Semiconductor

KSC5047TU

جزء الأسهم: 6089

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 120mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 5A, 5V,

قائمة الرغبات
MJE340STU
ON Semiconductor

MJE340STU

جزء الأسهم: 155895

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 50mA, 10V,

قائمة الرغبات
MPS3703_D74Z
ON Semiconductor

MPS3703_D74Z

جزء الأسهم: 6544

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 800mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات