Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

  • منزل، بيت
  •  
  • الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد
FJP5021OTU
ON Semiconductor

FJP5021OTU

جزء الأسهم: 6084

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 500V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 600mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 600mA, 5V,

قائمة الرغبات
D45C12
ON Semiconductor

D45C12

جزء الأسهم: 6338

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 200mA, 1V,

قائمة الرغبات
TIP142FTU
ON Semiconductor

TIP142FTU

جزء الأسهم: 6077

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 40mA, 10A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 2mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 1000 @ 5A, 4V,

قائمة الرغبات
KSC5030FRTU
ON Semiconductor

KSC5030FRTU

جزء الأسهم: 6533

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 800V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 600mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 600mA, 5V,

قائمة الرغبات
MPS6515_D26Z
ON Semiconductor

MPS6515_D26Z

جزء الأسهم: 6538

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
MMBTA06_D87Z
ON Semiconductor

MMBTA06_D87Z

جزء الأسهم: 6497

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
MJE200STU
ON Semiconductor

MJE200STU

جزء الأسهم: 162780

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.8V @ 1A, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 45 @ 2A, 1V,

قائمة الرغبات
MPS2222ARL
ON Semiconductor

MPS2222ARL

جزء الأسهم: 6427

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
MPSA44G
ON Semiconductor

MPSA44G

جزء الأسهم: 6434

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 300mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 750mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 10mA, 10V,

قائمة الرغبات
FJP5355TU
ON Semiconductor

FJP5355TU

جزء الأسهم: 6086

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 440V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 800mA, 2.5A, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 7 @ 2.5A, 2V,

قائمة الرغبات
FJAF6810DTU
ON Semiconductor

FJAF6810DTU

جزء الأسهم: 6171

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 750V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 1.5A, 6A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 5 @ 6A, 5V,

قائمة الرغبات
SNSS20101JT1G
ON Semiconductor

SNSS20101JT1G

جزء الأسهم: 187680

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 220mV @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 100mA, 2V,

قائمة الرغبات
MJF31C
ON Semiconductor

MJF31C

جزء الأسهم: 5744

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 300µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 3A, 4V,

قائمة الرغبات
KSB1149YSTU
ON Semiconductor

KSB1149YSTU

جزء الأسهم: 6375

نوع الترانزستور: PNP - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 1.5mA, 1.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 4000 @ 1.5A, 2V,

قائمة الرغبات
MPS6521RLRA
ON Semiconductor

MPS6521RLRA

جزء الأسهم: 6358

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
CPH3122-TL-E
ON Semiconductor

CPH3122-TL-E

جزء الأسهم: 130319

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 180mV @ 75mA, 1.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
MPSA42ZL1
ON Semiconductor

MPSA42ZL1

جزء الأسهم: 6426

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 25 @ 1mA, 10V,

قائمة الرغبات
PN100_D27Z
ON Semiconductor

PN100_D27Z

جزء الأسهم: 6558

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 20mA, 200mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 5V,

قائمة الرغبات
MJW21191G
ON Semiconductor

MJW21191G

جزء الأسهم: 6376

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 150V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 1.6A, 8A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 15 @ 4A, 2V,

قائمة الرغبات
MPS3646RLRAG
ON Semiconductor

MPS3646RLRAG

جزء الأسهم: 6445

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 300mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 30mA, 300mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

قائمة الرغبات
KSB811OBU
ON Semiconductor

KSB811OBU

جزء الأسهم: 6384

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 70 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
MPS8099RLRM
ON Semiconductor

MPS8099RLRM

جزء الأسهم: 6408

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
MCH3109-TL-E
ON Semiconductor

MCH3109-TL-E

جزء الأسهم: 161281

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 155mV @ 75mA, 1.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
MPSA55_D27Z
ON Semiconductor

MPSA55_D27Z

جزء الأسهم: 6494

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
MPSA92_D74Z
ON Semiconductor

MPSA92_D74Z

جزء الأسهم: 6590

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 25 @ 30mA, 10V,

قائمة الرغبات
NSS30071MR6T1G
ON Semiconductor

NSS30071MR6T1G

جزء الأسهم: 156556

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 700mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 70mA, 700mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 150 @ 100mA, 3V,

قائمة الرغبات
NSCT817-25LT3G
ON Semiconductor

NSCT817-25LT3G

جزء الأسهم: 6484

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
MPS8098_D75Z
ON Semiconductor

MPS8098_D75Z

جزء الأسهم: 6524

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
MJE210TG
ON Semiconductor

MJE210TG

جزء الأسهم: 6344

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.8V @ 1A, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 45 @ 2A, 1V,

قائمة الرغبات
MPS650RLRA
ON Semiconductor

MPS650RLRA

جزء الأسهم: 6406

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 200mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 75 @ 1A, 2V,

قائمة الرغبات
MPS4250G
ON Semiconductor

MPS4250G

جزء الأسهم: 6380

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
FJP13007
ON Semiconductor

FJP13007

جزء الأسهم: 6146

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 2A, 8A, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 8 @ 2A, 5V,

قائمة الرغبات
MMBT6520LT3G
ON Semiconductor

MMBT6520LT3G

جزء الأسهم: 6365

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 350V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 50mA, 10V,

قائمة الرغبات
FJPF5555TU
ON Semiconductor

FJPF5555TU

جزء الأسهم: 6165

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 800mA, 3V,

قائمة الرغبات
FJAF6810TU
ON Semiconductor

FJAF6810TU

جزء الأسهم: 6169

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 750V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 1.5A, 6A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 5 @ 6A, 5V,

قائمة الرغبات
FJAF6810DYDTBTU
ON Semiconductor

FJAF6810DYDTBTU

جزء الأسهم: 5732

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 750V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 1.5A, 6A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 5 @ 6A, 5V,

قائمة الرغبات