Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

  • منزل، بيت
  •  
  • الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد
CPH6223-TL-E
ON Semiconductor

CPH6223-TL-E

جزء الأسهم: 139412

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 240mV @ 100mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 100mA, 2V,

قائمة الرغبات
MPSA42RL1
ON Semiconductor

MPSA42RL1

جزء الأسهم: 6374

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 25 @ 1mA, 10V,

قائمة الرغبات
MPS2907ARL1G
ON Semiconductor

MPS2907ARL1G

جزء الأسهم: 6414

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
D44C12G
ON Semiconductor

D44C12G

جزء الأسهم: 6669

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 200mA, 1V,

قائمة الرغبات
CPH3107-TL-E
ON Semiconductor

CPH3107-TL-E

جزء الأسهم: 180436

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 150mV @ 60mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
MPS2222RLRAG
ON Semiconductor

MPS2222RLRAG

جزء الأسهم: 6657

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
MJD210
ON Semiconductor

MJD210

جزء الأسهم: 6723

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.8V @ 1A, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 45 @ 2A, 1V,

قائمة الرغبات
MPS8099RLRMG
ON Semiconductor

MPS8099RLRMG

جزء الأسهم: 6448

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
MPS6726
ON Semiconductor

MPS6726

جزء الأسهم: 6452

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 1A, 1V,

قائمة الرغبات
PN200A_D74Z
ON Semiconductor

PN200A_D74Z

جزء الأسهم: 6592

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 20mA, 200mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 10mA, 1V,

قائمة الرغبات
KSE5742
ON Semiconductor

KSE5742

جزء الأسهم: 6170

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 400mA, 8A, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 4A, 5V,

قائمة الرغبات
FJAF6910TU
ON Semiconductor

FJAF6910TU

جزء الأسهم: 6179

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 800V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 1.5A, 6A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 7 @ 6A, 5V,

قائمة الرغبات
FJP5027RHTU
ON Semiconductor

FJP5027RHTU

جزء الأسهم: 6099

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 800V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 300mA, 1.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 15 @ 200mA, 5V,

قائمة الرغبات
NSVBC817-40WT1G
ON Semiconductor

NSVBC817-40WT1G

جزء الأسهم: 181291

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
ECH8102-TL-H
ON Semiconductor

ECH8102-TL-H

جزء الأسهم: 119231

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 12A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 135mV @ 300mA, 6A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
MPS6514_D27Z
ON Semiconductor

MPS6514_D27Z

جزء الأسهم: 6482

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 150 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
MPSA63_D27Z
ON Semiconductor

MPSA63_D27Z

جزء الأسهم: 6520

نوع الترانزستور: PNP - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
MPSA56_D27Z
ON Semiconductor

MPSA56_D27Z

جزء الأسهم: 6574

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 200mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
CPH3101-TL-E
ON Semiconductor

CPH3101-TL-E

جزء الأسهم: 119808

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 100mA, 2V,

قائمة الرغبات
MPSA18RLRP
ON Semiconductor

MPSA18RLRP

جزء الأسهم: 6435

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 500 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
MJD31T4G
ON Semiconductor

MJD31T4G

جزء الأسهم: 195501

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 3A, 4V,

قائمة الرغبات
MPS2907ARLRM
ON Semiconductor

MPS2907ARLRM

جزء الأسهم: 6403

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
NSCT2907ALT1G
ON Semiconductor

NSCT2907ALT1G

جزء الأسهم: 6397

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
MMBTA42LT3
ON Semiconductor

MMBTA42LT3

جزء الأسهم: 6413

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 30mA, 10V,

قائمة الرغبات
MPS751G
ON Semiconductor

MPS751G

جزء الأسهم: 6437

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 200mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 75 @ 1A, 2V,

قائمة الرغبات
MPS750RLRAG
ON Semiconductor

MPS750RLRAG

جزء الأسهم: 6444

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 200mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 75 @ 1A, 2V,

قائمة الرغبات
MJW0281AG
ON Semiconductor

MJW0281AG

جزء الأسهم: 6356

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 260V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 500mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 75 @ 3A, 5V,

قائمة الرغبات
MPS2907ARL1
ON Semiconductor

MPS2907ARL1

جزء الأسهم: 6432

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
MPS2222ARLRP
ON Semiconductor

MPS2222ARLRP

جزء الأسهم: 6419

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
MPSW42G
ON Semiconductor

MPSW42G

جزء الأسهم: 6407

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 30mA, 10V,

قائمة الرغبات
MPSA42_D75Z
ON Semiconductor

MPSA42_D75Z

جزء الأسهم: 6464

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 30mA, 10V,

قائمة الرغبات
NSS40200UW6T1G
ON Semiconductor

NSS40200UW6T1G

جزء الأسهم: 180029

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 20mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 150 @ 1A, 2V,

قائمة الرغبات
MPS2222RLRPG
ON Semiconductor

MPS2222RLRPG

جزء الأسهم: 6373

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

قائمة الرغبات
NSS30100LT1G
ON Semiconductor

NSS30100LT1G

جزء الأسهم: 111187

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 650mV @ 200mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
FJP3835TU
ON Semiconductor

FJP3835TU

جزء الأسهم: 6115

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 120V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 300mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 3A, 4V,

قائمة الرغبات
FJPF1943OTU
ON Semiconductor

FJPF1943OTU

جزء الأسهم: 6476

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 230V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 800mA, 8A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 5µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 1A, 5V,

قائمة الرغبات