PMIC - بوابات السائقين

NCP81075DR2G

جزء الأسهم: 72

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8.5V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

FAN7390M1X

جزء الأسهم: 71564

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 22V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.2V, 2.5V,

FAN3225CMX-F085

جزء الأسهم: 10784

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V,

NCD5700DR2G

جزء الأسهم: 61020

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Synchronous, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 20V,

FAN3225TMX-F085

جزء الأسهم: 84

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

FAN7191MX-F085

جزء الأسهم: 10814

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 22V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.2V, 2.5V,

FAN7080MX-GF085

جزء الأسهم: 165

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5.5V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

NCD5703ADR2G

جزء الأسهم: 78

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.75V, 4.3V,

NCD5703CDR2G

جزء الأسهم: 125

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.75V, 4.3V,

NCD5702DR2G

جزء الأسهم: 10800

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.75V, 4.3V,

NCP81382MNTXG

جزء الأسهم: 72574

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

FAN73896MX

جزء الأسهم: 50364

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 12V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

FAN73894MX

جزء الأسهم: 50353

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 12V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

FAN73895MX

جزء الأسهم: 50375

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

NCV5183DR2G

جزء الأسهم: 77546

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.2V, 2.5V,

FAN7171MX-F085

جزء الأسهم: 10790

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

MC34152DG

جزء الأسهم: 60523

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.1V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.6V,

FAN3224TUMX-F085

جزء الأسهم: 10758

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

NCV5106ADR2G

جزء الأسهم: 117

FAN7083M-GF085

جزء الأسهم: 3260

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V,

NCP81071BMNTXG

جزء الأسهم: 124608

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.2V, 1.8V,

FAN3122CMPX

جزء الأسهم: 92022

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V,

NCP81146MNTBG

جزء الأسهم: 154277

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 13.2V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

FAN3268TMX

جزء الأسهم: 137724

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

NCP81253MNTBG

جزء الأسهم: 187912

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.7V, 3.4V,

FAN3100CSX

جزء الأسهم: 172228

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V,

FAN73711MX

جزء الأسهم: 149035

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

NCP81062MNTWG

جزء الأسهم: 148083

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 13.2V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

FAN3227CMPX

جزء الأسهم: 137651

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V,

FAN3111CSX

جزء الأسهم: 106683

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V,

FAN7383MX

جزء الأسهم: 116249

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 15V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.2V, 2.9V,

NCP5111DR2G

جزء الأسهم: 163535

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.3V,

FAN7362MX

جزء الأسهم: 161015

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.9V,

FAN3224CMPX

جزء الأسهم: 130787

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V,

FAN3217TMX

جزء الأسهم: 149444

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

NCP3420DR2G

جزء الأسهم: 134910

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.6V ~ 13.2V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,