| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| تكوين مدفوعة | Half-Bridge |
| نوع القناة | Synchronous |
| عدد السائقين | 2 |
| نوع البوابة | N-Channel MOSFET |
| الجهد - العرض | 4.5V ~ 13.2V |
| الجهد المنطقي - VIL ، VIH | 1V, 2V |
| التيار - ذروة الإخراج (المصدر ، المغسلة) | - |
| نوع الإدخال | Non-Inverting |
| الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (التمهيد) | 35V |
| وقت الصعود / الهبوط (نموذجي) | 16ns, 11ns |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 8-VFDFN Exposed Pad |
| حزمة جهاز المورد | 8-DFN (3x3) |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
