تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 15V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.2V, 2.9V,
تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.6V ~ 13.2V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,
تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.3V, 2.5V,
تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 20V,
تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5.5V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,
تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,
تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 13.2V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,
تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V,
تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.6V,
تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,
تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 22V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.2V, 2.5V,
تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 13.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,
تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,
تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.3V,
تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 13.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,
تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 6.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,
تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,
تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.3V,
تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 4.5V, 9.5V,
تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 13.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,
تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.1V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.6V,
تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,
تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V,