Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - واحد

FGH60T65SHD-F155
ON Semiconductor

FGH60T65SHD-F155

جزء الأسهم: 4029

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 349W,

إلى قائمة الأمنيات
FGD2736G3-F085
ON Semiconductor

FGD2736G3-F085

جزء الأسهم: 336

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 360V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 21A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.65V @ 4.5V, 10A, أقصى القوة: 150W,

إلى قائمة الأمنيات
NGTB30N65IHL2WG
ON Semiconductor

NGTB30N65IHL2WG

جزء الأسهم: 22140

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات
HGTG40N60A4
ON Semiconductor

HGTG40N60A4

جزء الأسهم: 7030

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 625W,

إلى قائمة الأمنيات
NGTB45N60S2WG
ON Semiconductor

NGTB45N60S2WG

جزء الأسهم: 22667

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 90A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 45A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات
FGH75T65SQDNL4
ON Semiconductor

FGH75T65SQDNL4

جزء الأسهم: 2906

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 375W,

إلى قائمة الأمنيات
SGH40N60UFTU
ON Semiconductor

SGH40N60UFTU

جزء الأسهم: 19790

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 160W,

إلى قائمة الأمنيات
HGTP12N60C3D
ON Semiconductor

HGTP12N60C3D

جزء الأسهم: 30296

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 24A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 96A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 104W,

إلى قائمة الأمنيات
IKA15N65ET6XKSA2
Infineon Technologies

IKA15N65ET6XKSA2

جزء الأسهم: 3217

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 17A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 57.5A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A, أقصى القوة: 45W,

إلى قائمة الأمنيات
IGP40N65H5XKSA1
Infineon Technologies

IGP40N65H5XKSA1

جزء الأسهم: 24119

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 74A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 255W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4BC40UPBF
Infineon Technologies

IRG4BC40UPBF

جزء الأسهم: 18466

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 160W,

إلى قائمة الأمنيات
IGP20N60H3XKSA1
Infineon Technologies

IGP20N60H3XKSA1

جزء الأسهم: 49077

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 170W,

إلى قائمة الأمنيات
IGP50N60TXKSA1
Infineon Technologies

IGP50N60TXKSA1

جزء الأسهم: 26759

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 333W,

إلى قائمة الأمنيات
IKD04N60RATMA1
Infineon Technologies

IKD04N60RATMA1

جزء الأسهم: 151710

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 12A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 4A, أقصى القوة: 75W,

إلى قائمة الأمنيات
IXYH40N90C3D1
IXYS

IXYH40N90C3D1

جزء الأسهم: 10221

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 900V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 90A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 500W,

إلى قائمة الأمنيات
IXBT16N170AHV
IXYS

IXBT16N170AHV

جزء الأسهم: 230

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 16A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 6V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 150W,

إلى قائمة الأمنيات
IXYP20N65C3D1M
IXYS

IXYP20N65C3D1M

جزء الأسهم: 22411

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 18A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 105A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 50W,

إلى قائمة الأمنيات
IXYP15N65C3
IXYS

IXYP15N65C3

جزء الأسهم: 31334

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 38A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGT4N250C
IXYS

IXGT4N250C

جزء الأسهم: 2962

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 2500V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 13A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 46A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 6V @ 15V, 4A, أقصى القوة: 150W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGT60N60C3D1
IXYS

IXGT60N60C3D1

جزء الأسهم: 9344

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 380W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGH60N30C3
IXYS

IXGH60N30C3

جزء الأسهم: 17932

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 420A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGX82N120B3
IXYS

IXGX82N120B3

جزء الأسهم: 3898

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 230A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 500A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 82A, أقصى القوة: 1250W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGH100N30C3
IXYS

IXGH100N30C3

جزء الأسهم: 13042

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 500A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.85V @ 15V, 100A, أقصى القوة: 460W,

إلى قائمة الأمنيات
IXXK200N60B3
IXYS

IXXK200N60B3

جزء الأسهم: 3830

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 380A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 900A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 15V, 100A, أقصى القوة: 1630W,

إلى قائمة الأمنيات
IXBA16N170AHV
IXYS

IXBA16N170AHV

جزء الأسهم: 155

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 16A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 6V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 150W,

إلى قائمة الأمنيات
IXYX100N120C3
IXYS

IXYX100N120C3

جزء الأسهم: 4027

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 188A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 490A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.5V @ 15V, 100A, أقصى القوة: 1150W,

إلى قائمة الأمنيات
IXYA20N65C3
IXYS

IXYA20N65C3

جزء الأسهم: 252

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 105A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 230W,

إلى قائمة الأمنيات
IXXH30N65C4D1
IXYS

IXXH30N65C4D1

جزء الأسهم: 206

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 62A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 136A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 230W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGP20N120B3
IXYS

IXGP20N120B3

جزء الأسهم: 17158

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 36A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.1V @ 15V, 16A, أقصى القوة: 180W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGR60N60C3D1
IXYS

IXGR60N60C3D1

جزء الأسهم: 8636

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 260A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 170W,

إلى قائمة الأمنيات
IXBT12N300
IXYS

IXBT12N300

جزء الأسهم: 2610

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 3000V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 160W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGH40N120A2
IXYS

IXGH40N120A2

جزء الأسهم: 6712

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 360W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGT30N120B3D1
IXYS

IXGT30N120B3D1

جزء الأسهم: 10482

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.5V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات
STGW25H120DF2
STMicroelectronics

STGW25H120DF2

جزء الأسهم: 13693

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 375W,

إلى قائمة الأمنيات
STGYA120M65DF2
STMicroelectronics

STGYA120M65DF2

جزء الأسهم: 6697

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 160A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 360A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.95V @ 15V, 120A, أقصى القوة: 625W,

إلى قائمة الأمنيات
STGFW30H65FB
STMicroelectronics

STGFW30H65FB

جزء الأسهم: 21478

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 58W,

إلى قائمة الأمنيات