الترانزستورات - IGBTs - واحد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 89

NGB18N40ACLBT4G

جزء الأسهم: 88358

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 430V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 18A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 4V, 15A, أقصى القوة: 115W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKP20N65F5XKSA1

جزء الأسهم: 43996

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 42A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 125W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKD06N60RFATMA1

جزء الأسهم: 117907

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 12A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 18A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 6A, أقصى القوة: 100W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IHW15N120R3FKSA1

جزء الأسهم: 426

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 254W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKP15N65F5XKSA1

جزء الأسهم: 29090

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 105W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKY40N120CH3XKSA1

جزء الأسهم: 10258

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.35V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 500W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKD03N60RFATMA1

جزء الأسهم: 156738

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6.5A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 7.5A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A, أقصى القوة: 53.6W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG4BC40WPBF

جزء الأسهم: 21260

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 160W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IGW60N60H3FKSA1

جزء الأسهم: 17056

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 416W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG4PC50UPBF

جزء الأسهم: 11342

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 55A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 220A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 27A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGH20N60SFDTU

جزء الأسهم: 36732

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 165W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

NGTB30N60L2WG

جزء الأسهم: 20768

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 225W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGH50T65SQD-F155

جزء الأسهم: 5157

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 268W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGP20N60UFDTU

جزء الأسهم: 26370

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 165W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

ISL9V2040D3ST

جزء الأسهم: 125426

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 430V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 130W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGH40T65SQD-F155

جزء الأسهم: 2943

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 238W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

HGTG18N120BND

جزء الأسهم: 10214

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 54A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 18A, أقصى القوة: 390W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGW40V60DF

جزء الأسهم: 15791

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 283W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGWA30M65DF2

جزء الأسهم: 16047

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 258W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGFW35HF60W

جزء الأسهم: 10183

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 36A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 88W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGWT30V60DF

جزء الأسهم: 19696

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 258W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGWT20H65FB

جزء الأسهم: 18491

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 168W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGB30H60DFB

جزء الأسهم: 57432

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 260W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGP10H60DF

جزء الأسهم: 75638

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.95V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 115W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYH12N250CV1HV

جزء الأسهم: 3882

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 2500V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 28A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 4.5V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 310W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXXH30N60C3D1

جزء الأسهم: 14144

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 110A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 24A, أقصى القوة: 270W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGA42N30C3

جزء الأسهم: 25095

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 250A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.85V @ 15V, 42A, أقصى القوة: 223W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGH40N120C3D1

جزء الأسهم: 7056

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 4.4V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 380W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYP20N120C3

جزء الأسهم: 16233

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 96A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.4V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 278W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGH25N160

جزء الأسهم: 6761

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 4.7V @ 20V, 100A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYT80N90C3

جزء الأسهم: 8696

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 900V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 165A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 360A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 80A, أقصى القوة: 830W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYH8N250C

جزء الأسهم: 5574

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 2500V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 29A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 70A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 4V @ 15V, 8A, أقصى القوة: 280W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXXH30N65B4

جزء الأسهم: 15132

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 65A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 146A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 230W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGA20N120A3

جزء الأسهم: 13268

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 180W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXBF42N300

جزء الأسهم: 1553

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 3000V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 380A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3V @ 15V, 42A, أقصى القوة: 240W,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America

RJH60F3DPQ-A0#T0

جزء الأسهم: 16631

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.82V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 178.5W,

إلى قائمة الأمنيات