الترانزستورات - IGBTs - واحد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 89

IKP40N65H5XKSA1

جزء الأسهم: 21487

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 74A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 255W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IGW75N60H3FKSA1

جزء الأسهم: 347

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 225A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 428W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKW50N65EH5XKSA1

جزء الأسهم: 13357

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 275W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG4PC50SPBF

جزء الأسهم: 11887

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 140A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.36V @ 15V, 41A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG4PSH71UDPBF

جزء الأسهم: 4434

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 99A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 70A, أقصى القوة: 350W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKY40N120CS6XKSA1

جزء الأسهم: 1487

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.15V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 500W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IHW40N60RFKSA1

جزء الأسهم: 517

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.05V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 305W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKW30N65H5XKSA1

جزء الأسهم: 21153

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 55A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 188W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKA15N65F5XKSA1

جزء الأسهم: 29092

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 14A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 33.3W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IGW30N60TPXKSA1

جزء الأسهم: 23334

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 53A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IGB50N65S5ATMA1

جزء الأسهم: 48121

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 270W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRGP4066DPBF

جزء الأسهم: 6386

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 225A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 454W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKFW40N60DH3EXKSA1

جزء الأسهم: 1427

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 34A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 111W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKY75N120CH3XKSA1

جزء الأسهم: 5600

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.35V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 938W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKB10N60TATMA1

جزء الأسهم: 70092

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 30A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.05V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 110W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXBT20N300HV

جزء الأسهم: 1842

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 3000V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 140A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYH30N65C3

جزء الأسهم: 22795

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 118A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 270W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGF32N170

جزء الأسهم: 4033

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 44A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.5V @ 15V, 32A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYH12N250C

جزء الأسهم: 5169

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 2500V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 28A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 4.5V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 310W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXXH60N65B4

جزء الأسهم: 12915

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 116A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 250A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 455W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGH56N60A3

جزء الأسهم: 12369

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 370A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.35V @ 15V, 44A, أقصى القوة: 330W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGH28N60A3

جزء الأسهم: 249

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 170A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.4V @ 15V, 24A, أقصى القوة: 190W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYH80N90C3

جزء الأسهم: 9634

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 900V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 165A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 360A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 80A, أقصى القوة: 830W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGH40N65UFDTU

جزء الأسهم: 29738

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 290W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGA30T65SHD

جزء الأسهم: 27345

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 238W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

HGTG30N60B3

جزء الأسهم: 20902

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 220A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 208W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGH40N60UFDTU

جزء الأسهم: 22929

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 290W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

HGTG40N60B3

جزء الأسهم: 8155

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 330A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 290W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

NGTG35N65FL2WG

جزء الأسهم: 23259

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 35A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGH40N60SFDTU

جزء الأسهم: 23931

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 290W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

HGTG11N120CND

جزء الأسهم: 21846

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 43A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 11A, أقصى القوة: 298W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGWT20H60DF

جزء الأسهم: 22167

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 167W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGWA8M120DF3

جزء الأسهم: 279

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 16A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 32A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 8A, أقصى القوة: 167W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGWA60NC60WDR

جزء الأسهم: 8845

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 130A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 250A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 340W,

إلى قائمة الأمنيات

Rohm Semiconductor

RGTV60TS65DGC11

جزء الأسهم: 2739

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 194W,

إلى قائمة الأمنيات

Sanken

SLA5222

جزء الأسهم: 7982

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A,

إلى قائمة الأمنيات