الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف

IRF7313TRPBF

جزء الأسهم: 101851

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

IRF7301PBF

جزء الأسهم: 88872

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.2A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

IRF7507PBF

جزء الأسهم: 2758

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.4A, 1.7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min),

إلى قائمة الأمنيات

IRLHS6376TR2PBF

جزء الأسهم: 2814

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA,

إلى قائمة الأمنيات

IRLHS6276TRPBF

جزء الأسهم: 125842

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA,

إلى قائمة الأمنيات

IRF6156

جزء الأسهم: 3344

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

NTJD4401NT4G

جزء الأسهم: 2719

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 630mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

FDG6303N_D87Z

جزء الأسهم: 2711

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 500mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

NDS9957

جزء الأسهم: 3327

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 2.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

FDS6982S

جزء الأسهم: 2774

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.3A, 8.6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

FDMS3600S

جزء الأسهم: 63274

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A, 30A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

FW216A-TL-2W

جزء الأسهم: 153552

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, 4V Drive, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 35V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 64 mOhm @ 4.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ECH8601M-TL-H

جزء الأسهم: 2899

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ميزة FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 24V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA,

إلى قائمة الأمنيات

HUFA76413DK8T

جزء الأسهم: 2732

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.1A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 49 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

NTMD2C02R2G

جزء الأسهم: 2750

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.2A, 3.4A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

NVDD5894NLT4G

جزء الأسهم: 89660

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

NVMFD5853NWFT1G

جزء الأسهم: 90403

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

NTHD4401PT1

جزء الأسهم: 2644

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.1A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

FDZ2553N

جزء الأسهم: 2739

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 9.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SI7964DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 2820

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.1A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SIA778DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 103692

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A, 1.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SIF902EDZ-T1-E3

جزء الأسهم: 2784

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SI5905BDC-T1-GE3

جزء الأسهم: 3293

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SI7911DN-T1-E3

جزء الأسهم: 2776

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.2A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 51 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SI8901EDB-T2-E1

جزء الأسهم: 2810

نوع FET: 2 P-Channel (Dual) Common Drain, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.5A, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA,

إلى قائمة الأمنيات

SI7948DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 3297

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SIA911DJ-T1-E3

جزء الأسهم: 2797

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات