| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| ميزة FET | Logic Level Gate |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 25V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 15A, 30A |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 5.6 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 1680pF @ 13V |
| أقصى القوة | 1W |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 8-PowerTDFN |
| حزمة جهاز المورد | Power56 |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
