جزء الأسهم: 24307
نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ميزة FET: GaNFET (Gallium Nitride), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 2A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA,