الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف

SI6968BEDQ-T1-E3

جزء الأسهم: 118914

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.2A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA,

SI7904BDN-T1-E3

جزء الأسهم: 165763

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

SI4948BEY-T1-GE3

جزء الأسهم: 125231

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.4A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

SI4946BEY-T1-E3

جزء الأسهم: 150097

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 41 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

SI4808DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 80857

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min),

SI3951DV-T1-GE3

جزء الأسهم: 199685

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 115 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS6930B

جزء الأسهم: 174209

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 38 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDS6990A

جزء الأسهم: 143253

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5485NLT1G

جزء الأسهم: 84490

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 44 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

MCH6662-TL-W

جزء الأسهم: 197593

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA,

FDMS8090

جزء الأسهم: 54867

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

FDPC8014AS

جزء الأسهم: 56655

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A, 40A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDMA1028NZ-F021

جزء الأسهم: 89

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTLUD4C26NTBG

جزء الأسهم: 107408

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.1A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

NTUD3174NZT5G

جزء الأسهم: 123413

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 220mA (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA,

FDMD8240LET40

جزء الأسهم: 53084

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.6 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NTLJD3119CTBG

جزء الأسهم: 189185

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A, 2.3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

NTUD3169CZT5G

جزء الأسهم: 116437

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 220mA, 200mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

DMN65D8LDWQ-7

جزء الأسهم: 101082

DMG6968UTS-13

جزء الأسهم: 187139

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.2A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

DMC3016LNS-7

جزء الأسهم: 184096

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), 6.8A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 7A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

DMC3016LSD-13

جزء الأسهم: 127604

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.2A, 6.2A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

HTMN5130SSD-13

جزء الأسهم: 82476

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMG9933USD-13

جزء الأسهم: 177140

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

DMC3026LSD-13

جزء الأسهم: 205

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.2A (Ta), 8A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMPH6050SSD-13

جزء الأسهم: 115772

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.2A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

ZXMC10A816N8TC

جزء الأسهم: 169825

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 230 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

DMN1250UFEL-7

جزء الأسهم: 191350

نوع FET: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 450 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

ZXMN6A25DN8TA

جزء الأسهم: 101872

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.8A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

SP8M5FRATB

جزء الأسهم: 154

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Ta), 7A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SP8M6FRATB

جزء الأسهم: 153

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), 3.5A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SP8M21FRATB

جزء الأسهم: 70

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 45V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Ta), 4A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, 46 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

EPC2105ENGRT

جزء الأسهم: 13745

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ميزة FET: GaNFET (Gallium Nitride), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA,

STL7DN6LF3

جزء الأسهم: 117469

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 43 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

UPA2660T1R-E2-AX

جزء الأسهم: 164961

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 62 mOhm @ 2A, 4.5V,

UPA2690T1R-E2-AX

جزء الأسهم: 161730

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ميزة FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A, 3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 2A, 4.5V,