| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | N and P-Channel |
| ميزة FET | Logic Level Gate |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 100V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 2A |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 230 mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 9.2nC @ 10V |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 497pF @ 50V |
| أقصى القوة | 1.8W |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| حزمة جهاز المورد | 8-SOP |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
