يكتب | وصف |
حالة الجزء | Active |
---|---|
نوع FET | N and P-Channel Complementary |
ميزة FET | Logic Level Gate |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 40V |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 50 mOhm @ 4.5A, 10V, 60 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250mA (Min) |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 17nC @ 10V |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V |
أقصى القوة | 2.1W |
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
نوع التركيب | Surface Mount |
العبوة / العلبة | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
حزمة جهاز المورد | 8-SO |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |