الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف

NTGD4167CT1G

جزء الأسهم: 114403

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A, 1.9A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDMS3664S

جزء الأسهم: 180120

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A, 25A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA,

NTJD1155LT1G

جزء الأسهم: 149235

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

FDMD8560L

جزء الأسهم: 41533

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22A, 93A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.2 mOhm @ 22A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC4C012NLTDG

جزء الأسهم: 115

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ميزة FET: Standard, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA,

NVMFD5C462NLT1G

جزء الأسهم: 139

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Ta), 84A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.7 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA,

FDMS7700S

جزء الأسهم: 61271

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A, 22A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8654-TL-H

جزء الأسهم: 186362

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 38 mOhm @ 3A, 4.5V,

SI6975DQ-T1-E3

جزء الأسهم: 56765

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 5mA (Min),

SI6975DQ-T1-GE3

جزء الأسهم: 89660

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 5mA (Min),

SI6954ADQ-T1-GE3

جزء الأسهم: 102782

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.1A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

SI7904BDN-T1-GE3

جزء الأسهم: 165688

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

SI4276DY-T1-E3

جزء الأسهم: 139906

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

DMC6070LND-7

جزء الأسهم: 115806

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.1A, 2.4A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 85 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMHC4035LSD-13

جزء الأسهم: 190231

نوع FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A, 3.7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMS3019SSD-13

جزء الأسهم: 162279

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A, 5.7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

DMN2022UNS-7

جزء الأسهم: 109123

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.7A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.8 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

DMN3016LDV-13

جزء الأسهم: 145769

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

DMP4047SSD-13

جزء الأسهم: 153243

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.1A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMP22D4UDA-7B

جزء الأسهم: 125

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 328mA (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

DMTH6016LSDQ-13

جزء الأسهم: 146385

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.6A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

DMC4029SSDQ-13

جزء الأسهم: 181

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), 6.5A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, 45 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMG4822SSDQ-13

جزء الأسهم: 186

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

ZXMD63N03XTA

جزء الأسهم: 63691

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

DMG1026UVQ-7

جزء الأسهم: 165393

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 440mA (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.8 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

DMG9926USD-13

جزء الأسهم: 131794

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

DMC3025LDV-13

جزء الأسهم: 182397

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Standard, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

DMN65D8LDWQ-13

جزء الأسهم: 110709

DMN13M9UCA6-7

جزء الأسهم: 87

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA,

UPA3753GR-E1-AT

جزء الأسهم: 158590

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 56 mOhm @ 2.5A, 10V,

SLA5037

جزء الأسهم: 14765

نوع FET: 4 N-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA,

SLA5096

جزء الأسهم: 27227

نوع FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A,

SP8K52FRATB

جزء الأسهم: 115

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

TT8J3TR

جزء الأسهم: 193760

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

MCCD2005-TP

جزء الأسهم: 159326

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

MTM684110LBF

جزء الأسهم: 152523

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.8A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 32 mOhm @ 1A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,